FJBE2150D: ESBC™™ 额定NPN晶体管
FJBE2150D 是一个低成本、高性能的功率开关,设计用于以下应用中的 ESBC™ 配置: 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达 1500 V 的电压和 3 A 的电流下工作,同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。
ESBC™ 开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC™ MOSFET 是将低输入电容和快速开关整合在一起的低电压、低成本表面贴装器件。 由于没有米勒电容,ESBC™ 配置可进一步最小化所需驱动电源。
FJBE2150D因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计,因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪崩额定值,并且没有寄生晶体管,因此它不易于发生静态 dv/dt 故障。
该功率开关采用专用的高压双极工艺制造,并以额定值为 2500 V 的爬电和间隙密封于高压 HV-D2PAK 封装中。
特性
- 等效低导通电阻
- 超快开关: 150 kHz
- 平方 RBSOA: 高达 1500 V
- 雪崩额定值
- 低驱动电容,无米勒电容 200V 时 12 pF 电容)
- 低开关损耗
- 可靠的高电压开关: 因其具有高 dv/dt 瞬变能力,可实现无误触发。
Ordering Code 订购信息产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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FJBE2150DTU | 量产
符合 RoHS 标准截至2006年2月27日
中国 RoHS | $0.7045 | TO-263 2L (D2PAK)
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4.83 x 10.67 x 15.64mm,
管装 | 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行J2150D
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FJBE2150DTU | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
应用指南
AN-4179 High Voltage D2pak Package, PCB Layout Guide 最后更新 : 2016年11月16日