ADR423: 超精密、低噪声、3.00 V XFET®基准电压源

ADR423 为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术,可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比,还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR423 具有出色的噪声性能、稳定性和精度,非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚,在±0.5%范围内调整输出电压,其它性能则不受影响。ADR423 分为两种电气等级,额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围,提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装(后者比前者小30%)。

技术特性
  • 低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
    ADR420: 1.75 μV 峰峰值
    ADR421: 1.75 μV 峰峰值
    ADR423: 2.0 μV峰峰值
    ADR425: 3.4 μV峰峰值
  • 低温度系数:3 ppm/°C
  • 长期稳定性:50 ppm/1000小时
  • 负载调整率:70 ppm/mA
  • 电压调整率:35 ppm/V
  • 低迟滞:40 ppm(典型值)
  • 宽工作电压范围
    ADR420: 4 V至18 V
    ADR421: 4.5 V 至 18 V
    ADR423: 5 V 至 18 V
    ADR425: 7 V 至18 V
  • 静态电流:0.5 mA(最大值)
  • 高输出电流:10 mA
  • 宽温度范围:−40°C至+125°C
应用领域
  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率转换器
  • 电池供电仪器仪表
  • 便携式医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 精密仪器
  • 光纤网络控制电路
技术指标
  • Vout: 3
  • Initial Accuracy (%): 0.04
  • Ref Out TC (ppm/C): 1ppm/C
  • Initial Accuracy (mV): 1.5mV
  • 0.1-10 Hz Noise (µV p-p): 1µV p-p
  • Ref Output Current (mA): 10mA
  • Min V Supply (V): 5V
  • Max V Supply (V): 18V
  • Supply Current : 500µA
功能框图

订购指南
产品型号 封装 引脚 温度范围 包装和数量 报价*(100-499) 报价*1000 pcs RoHS
ADR423ARMZ 产品状态: 量产 8 ld MSOP 8 工业 Tube, 50 $ 3.19 $ 2.88 Y  材料信息
ADR423ARMZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld MSOP 8 工业 Reel, 1000 - $ 2.88 Y  材料信息
ADR423ARZ 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Tube, 98 $ 3.19 $ 2.88 Y  材料信息
ADR423ARZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Reel, 1000 - $ 2.88 Y  材料信息
ADR423BRZ 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Tube, 98 $ 5.27 $ 4.43 Y  材料信息
ADR423BRZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Reel, 1000 - $ 4.43 Y  材料信息
ADR423 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
  1. ADR423 数据手册DataSheet 下载 . pdf
  2. ADI 模拟器件公司比较器产品选型指南 . pdf
  3. Analog Devices, Inc. 美国模拟器件公司产品订购手册 .pdf