ADR434: 超低噪声XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
ADR434 是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR434 电压随温度变化的非线性度降至最小。与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR434 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。 ADR434-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）
技术特性
应用领域
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技术指标
功能框图
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订购指南
| 产品型号 | 封装 | 引脚 | 温度范围 | 包装和数量 | 报价*(100-499) | 报价*1000 pcs | RoHS |
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| ADR434ARMZ 产品状态: 量产 | 8 ld MSOP | 8 | 工业 | Tube, 50 | $ 3.18 | $ 2.96 | Y 材料信息 |
| ADR434ARMZ-REEL7 产品状态: 量产 | 8 ld MSOP | 8 | 工业 | Reel, 1000 | - | $ 2.96 | Y 材料信息 |
| ADR434ARZ 产品状态: 量产 | 8 ld SOIC | 8 | 工业 | Tube, 98 | $ 3.18 | $ 2.96 | Y 材料信息 |
| ADR434ARZ-REEL7 产品状态: 量产 | 8 ld SOIC | 8 | 工业 | Reel, 1000 | $ 0.00 | $ 2.96 | Y 材料信息 |
| ADR434BRZ 产品状态: 量产 | 8 ld SOIC | 8 | 工业 | Tube, 98 | $ 4.74 | $ 4.41 | Y 材料信息 |
| ADR434BRZ-REEL7 产品状态: 量产 | 8 ld SOIC | 8 | 工业 | Reel, 1000 | - | $ 4.41 | Y 材料信息 |
| ADR434TRZ-EP 产品状态: 量产 | 8 ld SOIC | 8 | 军用 | Tube, 98 | $ 7.11 | $ 6.62 | Y 材料信息 |
| ADR434TRZ-EP-R7 产品状态: 量产 | 8 ld SOIC | 8 | 军用 | Reel, 1000 | - | $ 6.62 | Y 材料信息 |
