ADR439: 超低噪声XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力

ADR439 是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR439 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。ADR439 的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。ADR439 提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

技术特性
  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 µV 峰峰值(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    A 级: 10 ppm/°C (最大值)
    B 级: 3 ppm/°C (最大值)
  • 负载调整率:15 ppm/mA
  • 电压调整率:20 ppm/V
  • 宽工作电压范围:
    ADR430: 4.1 V 至 18 V
    ADR431: 4.5 V 至18 V
    ADR433: 5.0 V 至 18 V
    ADR434: 6.1 V 至 18 V
    ADR435: 7.0 V 至 18 V
    ADR439: 6.5 V 至18 V
  • 高输出源电流和吸电流:+30 mA和−20 mA
  • 宽温度范围:−40°C至+125°C
应用领域
  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光纤控制电路
  • 精密仪器
技术指标
  • Vout: 1.2
  • Initial Accuracy (%): 0.4
  • Ref Out TC (ppm/C): 5ppm/C
  • Initial Accuracy (mV): 5mV
  • 0.1-10 Hz Noise (µV p-p): 2.2µV p-p
  • Ref Output Current (mA): 0.1mA
  • Min V Supply (V): 2.4V
  • Max V Supply (V): 5.5V
  • Supply Current : 16µA
功能框图

订购指南
产品型号 封装 引脚 温度范围 包装和数量 报价*(100-499) 报价*1000 pcs RoHS
ADR439ARMZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld MSOP 8 工业 Reel, 1000 - $ 2.96 Y  材料信息
ADR439ARZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Reel, 1000 - $ 2.96 Y  材料信息
ADR439BRZ-REEL7 产品状态: 量产 8 ld SOIC 8 工业 Reel, 1000 - $ 4.41 Y  材料信息
ADR439 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
  1. ADR439 数据手册DataSheet 下载 . pdf
  2. ADI 模拟器件公司比较器产品选型指南 . pdf
  3. Analog Devices, Inc. 美国模拟器件公司产品订购手册 .pdf