NPN型硅平面高频小功率三极管 3DG110

电参数 极限参数 直流参数 交流参数 外形 国外相应产品型号
PCM
mW
ICM
mA
BVCBO
V
BVCEO
V
BVEBO
V
ICBO
µA
ICEO
µA
IEBO
µA
VBES
V
VCES
V
hFE fT
MHz
GD
dB
Cob
PF
测试条件     IC=
100µA
IC=
100µA
IE=
100µA
VCB=
10V
VCE=
10V
VEB=
1.5V
IC=10mA
IB=1mA
VCE=10V
IC=3mA
ICE=10V
IC=10mA
f=100MHZ
ICB=10V
IE=10mA
f=100MHZ
 
型号 3DG110A
3DG110B
3DG110C
3DG110D
3DG110E
300 50 20
40
60
20
40
15
30
60
20
40
4 0.1 0.1 0.1 1 1 30 150
150
150
300
300
7   B-1  
用途:用于电子设备的高频放大和振荡电路