VD190N65 (代ON4898) RF VDMOS高频、低噪声功率场效应晶体管

参数符号 VDS VGS IDS PDM TjM Tstg
额定值 65 20 8 120 200 -55到+150
单 位 V V A W °Ç °Ç
最大额定值:(Ta=25°Ç) 2-175MHz 24V Po=30W
 
最大额定值:(Ta=25°Ç) 2-175MHz 24V  Po=30W
参数名称 参数符号 测试条件 最小值 最大值 单 位
漏源穿击电压 VDSS VGS=0;ID=10mA 65   V
漏源漏电流 IDSS VGS=0;VDS=24V   2 mA
栅源漏电流 IGSS VGS=20;VDS=0V   2 µA
开启电压 VGS(th) ID=10mA;VDS=10V 2 4.5 V
跨  导 gm ID=1.5A;VDS=10V 1.2 1.9 S