3DA10 型晶体管
- 结构名称：NPN硅平面高频大功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途： 用于50～100MHz下输出3—5W短波功率放大器及其它电子设备。
- 外形图：F—1C型
3DA10 型晶体管
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规 范 值 | |
| 3DA10A | 3DA10B | ||||
| 1 | PCM | W | Tc≤70℃±5℃ | 10 | |
| 2 | IC | A | 1 | ||
| 3 | TjM | ℃ | 175 | ||
| 4 | ICEO | mA | VCE=20V | ≤1 | ≤0.5 |
| 5 | BVCBO | V | ICB=5mA | ≥45 | ≥65 |
| 6 | BVCEO | V | ICE=5mA | ≥40 | ≥60 |
| 7 | BVEBO | V | IEB=5mA | ≥2 | ≥3 |
| 8 | VCE(sat) | V | IC=0.5A，IB=0.1A | ≤1.5 | ≤1.5 |
| 9 | hFE | VCE=5V，IC=0.3A | ≥12 | ≥15 | |
| 10 | PO | W | VCE=24V，Pi=1.25W，f=100MHz | ≥4 | ≥5 |
| 11 | Gp | dB | ≥5 | ≥6 | |
| 12 | η | % | ≥45 | ≥45 | |
| 13 | VSB | V | IC=0.2A | ≥30 | |
3DA10 型晶体管B-2 型封状尺寸图
