3DA100 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途： 20—50MH作功率放大。
- 外形图：F-2C型
3DA100 型晶体管
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规范值 | |
| 3DA100A | 3DA100B | ||||
| 1 | PCM | W | Tc=70℃±5℃ | 40 | |
| 2 | IC | A | 5 | ||
| 3 | TjM | ℃ | 175 | ||
| 4 | ICEO | mA | VCE=20V | ≤3 | ≤3 |
| 5 | BVCBO | V | ICB=15mA | ≥50 | ≥60 |
| 6 | BVCEO | V | ICE=15mA | ≥45 | ≥55 |
| 7 | BVEBO | V | IEB=15mA | ≥4 | ≥4 |
| 8 | VSB | V | IC=1A | ≥40 | |
| 9 | BVCER | V | VC=200V，RL= 2KΩ，Reb=15Ω | 无负阻 | |
| 10 | VCE(sat) | V | IC=3A，IB=0.6A | ≤1.5 | ≤1.5 |
| 11 | hFE | VCE=5V，IC=1.5A | ≥12 | ≥15 | |
| 12 | PO | W | f=50MHz，VC=24V，Pi=5W | ≥20 | ≥25 |
| 13 | GP | dB | ≥6 | ≥7 | |
3DA100 型晶体管B-2 型封状尺寸图
