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3DA100 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途： 20—50MH作功率放大。
- 外形图：F-2C型
3DA100 型晶体管
| 序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规范值 |
| 3DA100A |
3DA100B |
| 1 |
PCM |
W |
Tc=70℃±5℃ |
40 |
| 2 |
IC |
A |
|
5 |
| 3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
| 4 |
ICEO |
mA |
VCE=20V |
≤3 |
≤3 |
| 5 |
BVCBO |
V |
ICB=15mA |
≥50 |
≥60 |
| 6 |
BVCEO |
V |
ICE=15mA |
≥45 |
≥55 |
| 7 |
BVEBO |
V |
IEB=15mA |
≥4 |
≥4 |
| 8 |
VSB |
V |
IC=1A |
|
≥40 |
| 9 |
BVCER |
V |
VC=200V，RL= 2KΩ，Reb=15Ω |
无负阻 |
| 10 |
VCE(sat) |
V |
IC=3A，IB=0.6A |
≤1.5 |
≤1.5 |
| 11 |
hFE |
|
VCE=5V，IC=1.5A |
≥12 |
≥15 |
| 12 |
PO |
W |
f=50MHz，VC=24V，Pi=5W |
≥20 |
≥25 |
| 13 |
GP |
dB |
≥6 |
≥7 |
3DA100 型晶体管B-2 型封状尺寸图
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BDTIC 半导体事业部