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3DA21 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面超高频大功率三极管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途：用于超高频功率放大振荡器及其它电子设备中。
- 外 形 图：G-1型
3DA21 型晶体管
| 序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规 范 值 |
| 3DA21B |
3DA21L |
| 1 |
Ptot |
W |
TC=70℃±5℃ |
8 |
8 |
| 2 |
ICM |
A |
|
1 |
1 |
| 3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
175 |
| 4 |
ICEO |
mA |
VCE=28V |
≤0.8 |
≤0.8 |
| 5 |
BVCBO |
V |
ICB=1mA |
≥55 |
≥60 |
| 6 |
BVCEO |
V |
ICE=10mA |
≥40 |
≥45 |
| 7 |
BVEBO |
V |
IEB=1mA |
≥4 |
≥4 |
| 8 |
VCE(sat) |
V |
IC=0.4A，IB=0.04A |
|
≤1.5 |
| IC=0.5A，IB=0.1A |
≤1 |
|
| 9 |
hFE |
|
VCE=24V，IC=200mA |
|
15~80 |
| VCE=5V，IC=0.3A |
≥10 |
|
| 10 |
hFE线性 |
% |
线性同 VCE=4V 400mA 两点的相 |
|
≤25 |
| 时测量 VCE=24V 200mA 对变化率 |
| 11 |
PO |
W |
f=200MHz，VCE=28V，Pi=0.8w |
≥5 |
≥5 |
| 12 |
GP |
dB |
f=200MHz，VCE=28V，Pi=0.8w |
≥8 |
≥8 |
3DA21 型晶体管B-2 型封状尺寸图
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BDTIC 半导体事业部