3DA76 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
等级标记：Ⅱ类
主要用途： 10—20MHz输出1—3W短波，超短波，功率放大器及其它电子设备。
外形图：F—1C型
3DA76 型晶体管
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规范值 | |
| 3DA76 | 3DA76D | ||||
| 1 | PCM | W | Tc=70℃±10℃ | 7.5 | 7.5 |
| 2 | IC | A | 0.75 | 1 | |
| 3 | BVEBO | V | Ic=0.02mA | ≥5 | |
| Ic=0.2mA | ≥3 | ||||
| 4 | BVCEO | V | Ic=5mA | ≥60 | ≥70 |
| 5 | BVCBO | V | IE=3mA | ≥65 | ≥75 |
| 6 | ICBO | mA | VCB=60V | ≤0.02 | |
| VCB=30V | ≤0.2 | ||||
| 7 | ICEO | mA | VCE=50V | ≤0.02 | |
| VCE=25V | ≤0.2 | ||||
| 8 | hFE | VCE=13V， IB=35mA | 20~80 | ||
| VCE=10V，IB=200mA | ≥15 | ||||
| 9 | VCE(sat) | V | Ic=0.5A，IB=0.1A | ≤1.5 | ≤1.5 |
| 10 | PO | W | f=10MHz，VCE=24V，Pi=0.1W | ≥5.5 | ≥2.5 |
3DA76 型晶体管B-2 型封状尺寸图
