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3DA76 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
等级标记：Ⅱ类
主要用途： 10—20MHz输出1—3W短波，超短波，功率放大器及其它电子设备。
外形图：F—1C型
3DA76 型晶体管
| 序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规范值 |
| 3DA76 |
3DA76D |
| 1 |
PCM |
W |
Tc=70℃±10℃ |
7.5 |
7.5 |
| 2 |
IC |
A |
|
0.75 |
1 |
| 3 |
BVEBO |
V |
Ic=0.02mA |
|
≥5 |
| Ic=0.2mA |
≥3 |
|
| 4 |
BVCEO |
V |
Ic=5mA |
≥60 |
≥70 |
| 5 |
BVCBO |
V |
IE=3mA |
≥65 |
≥75 |
| 6 |
ICBO |
mA |
VCB=60V |
|
≤0.02 |
| VCB=30V |
≤0.2 |
|
| 7 |
ICEO |
mA |
VCE=50V |
|
≤0.02 |
| VCE=25V |
≤0.2 |
|
| 8 |
hFE |
|
VCE=13V， IB=35mA |
|
20~80 |
| VCE=10V，IB=200mA |
≥15 |
|
| 9 |
VCE(sat) |
V |
Ic=0.5A，IB=0.1A |
≤1.5 |
≤1.5 |
| 10 |
PO |
W |
f=10MHz，VCE=24V，Pi=0.1W |
≥5.5 |
≥2.5 |
3DA76 型晶体管B-2 型封状尺寸图
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BDTIC 半导体事业部