3DA826 型晶体管
- 结构名称：多晶发射区结构带有发射极镇流电阻，内匹配电容，NPN硅平面外延超高频功率晶体管。
- 等级标记：Ⅲ类
- 主要用途：适用于雷达发射机及各种通讯设备中作末级功放。
- 外 形 图：H-2H型
3DA826 型晶体管参数
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规 范 值 |
| 1 | Ptot | W | TC=25℃ | 40 |
| 2 | ICM | A | 7 | |
| 3 | TjM | ℃ | 175 | |
| 4 | ICEO | mA | VCE=12V | ≤4 |
| 5 | BV CBO | V | ICB=20mA | ≥36 |
| 6 | BVCEO | V | ICE=20mA | ≥18 |
| 7 | BVEBO | V | IEB=20mA | ≥3.5 |
| 8 | VCE(sat) | V | IC=3A，IB=0.6A | ≤1 |
| 9 | hFE | VC=5V，IC=2.5A | 10～150 | |
| 10 | PO | W | f=175MHz，VC=12.5V，Pi=8W | ≥30 |
| 11 | GP | dB | ≥5.7 |
3DA826 型晶体管封装尺寸图
