- 嵌入式微控制器和微处理器
8位单片机
16 位单片机
32位ARM核微处理器
AVR 单片机
DSP 数字信号处理
其他专用单片机
- 存储器
非易失性存储器NVRAM
同步动态存储器SDRAM
EEPROM 存储器
Flash 存储器
其他
- 系统管理器件
监控电路(电压监控器)
低功耗复位器
- Interface 接口器件
RS-232接口
RS-485/422接口
CAN接口
USB 接口
LVDS与RF接口
其他接口
- 数据转换器
模数转换器
数模转换器
音频与触摸屏控制器
- 电源管理器件
标准线性电源
低压差稳压器
DC/DC转换器
AC/DC转换器
电压基准
电池管理
PWM控制器
电源模块与功率器件
其它
- 时钟管理 定时器 计数器
- 数字电位器 DCP
- 开关器件
- 传感器
- 可编程逻辑器件
FPGA 现场可编程逻辑
CPLD 复杂可编程逻辑器件
其它 可编程系统器件
- 逻辑电路
- 其他
|
首页>产品服务>分立式半导体
3DA98 型晶体管
- 结构名称:NPN硅外延平面高频大功率三极管。
- 等级标记:Ⅱ类
- 主要用途: 10—20MHz输出15—20W短波或超短波功率放大。
- 外形图:F-2C型
3DA98 型晶体管
| 序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规范值 |
| 3DA98A |
3DA98B |
| 1 |
PCM |
W |
Tc=70℃ |
40 |
| 2 |
IC |
A |
|
5 |
| 3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
| 4 |
ICEO |
mA |
VCE=20V |
≤2 |
≤1 |
| 5 |
IEBO |
mA |
VEB=2V |
|
≤1 |
| 6 |
BVCBO |
V |
ICB=10mA |
≥60 |
≥80 |
| 7 |
BVCEO |
V |
ICE=10mA |
≥50 |
≥70 |
| 8 |
BVEBO |
V |
IEB=10mA |
≥4 |
≥4 |
| 9 |
VSB |
V |
IC=1A |
≥40 |
≥40 |
| 10 |
BVCER |
V |
VC=200V,RC= 2KΩ,Reb=22Ω |
无负阻 |
无负阻 |
| 11 |
VCE(sat) |
V |
IC=3A,IB=0.6A |
≤2 |
≤2 |
| 12 |
hFE |
|
VCE=5V,IC=1.5A |
≥10 |
≥15 |
| 13 |
PO |
W |
f=20MHz,VC=24V,Pi=1W |
≥11 |
≥15 |
| 14 |
GP |
dB |
≥10 |
≥12 |
3DA98 型晶体管B-2 型封状尺寸图

|