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3DG111 型晶体管
- 结构名称：NPN硅高频小功率三极管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途：电视接收机作伴音中放，场同步放大，AGC放大，行AFC电路，伴音低放，电源取样。接收机和无线电设备高频放大和振荡。
- 外形图：B-2型
3DG111 型晶体管
| 序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规范值 |
| 3DG111A |
3DG111B |
3DG111C |
3DG111D |
3DG111E |
3DG111F |
| 1 |
PCM |
mW |
|
300 |
| 2 |
IC |
mA |
|
50 |
| 3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
| 4 |
V(BR)CBO |
V |
IC=50μA |
≥20 |
≥40 |
≥60 |
≥20 |
≥40 |
≥60 |
| 5 |
V(BR)CEO |
V |
IC=50μA |
≥15 |
≥30 |
≥45 |
≥15 |
≥30 |
≥45 |
| 6 |
V(BR)EBO |
V |
IE=50μA |
≥4 |
≥4 |
≥4 |
≥4 |
≥4 |
≥4 |
| 7 |
ICBO |
μA |
VCB=10V |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
| 8 |
ICEO |
μA |
VCE=10V |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
| 9 |
IEBO |
μA |
VEB=2V |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
≤0.1 |
| 10 |
VBE(sat) |
V |
Ic=10mA，IB=1mA |
≤ 1 |
≤ 1 |
≤ 1 |
≤ 1 |
≤ 1 |
≤ 1 |
| 11 |
VCE(sat) |
V |
Ic=10mA，IB=1mA |
≤0.35 |
≤0.35 |
≤0.35 |
≤0.35 |
≤0.35 |
≤0.35 |
| 12 |
hFE |
|
VCE=10V，IC=10mA |
25~320 |
25~320 |
25~320 |
25~320 |
25~320 |
25~320 |
| 13 |
fT |
MHz |
f=100MHz，VCE=10V，IC=10mA |
≥150 |
≥150 |
≥150 |
≥300 |
≥300 |
≥300 |
允许测试误差±10%
NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表
| hFE |
25~40 |
40~55 |
55~80 |
80~120 |
120~180 |
180~270 |
270~320 |
| 色标 |
橙 |
黄 |
绿 |
蓝 |
紫 |
灰 |
白 |
3DG111 型晶体管B-2 型封状尺寸图
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BDTIC 半导体事业部