LCMXO256C-3TN100C 非易失性无限重构可编程逻辑器件PLD

器件 LCMXO256C-3TN100C
Vcc 电压(V)

1.2 或 1.8/2.5/3.3

密度(LUT数)

256

密度(宏单元数)1

128

tPD (ns)

3.5

Fmax (MHz)

388

分布式RAM (Kbits)

2.0

EBR SRAM (Kbits)

0

EBR SRAM块

0

PLLs

0

最大用户I/O数

78

封装 Lead-Free TQFP
温度范围 民用级
LCMXO256C-3TN100C 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载