| 芯片型号 |
数据资料 当前页面搜索：Ctrl+F |
| DS28CZ04EVKIT |
DS28CZ04EVKIT:
DS28CZ04评估板/评估系统 |
| DS28CM00EVKIT |
DS28CM00EVKIT:
DS28CM00评估板/评估系统 |
| DS28CZ04 |
DS28CZ04: I2C
4k位EEPROM,带有4个输入/输出端口扩展器 |
| DS28CM00 |
DS28CM00:
I<2C/SMBus硅序列号 |
| MAX9975 |
MAX9975: 双通道、低功耗、1200Mbps
ATE驱动器/比较器,带有35mA负载 |
| DS1658AB, DS1658Y |
DS1658AB, DS1658Y: 128k x
16非易失SRAM |
| DS1650AB, DS1650Y |
DS1650AB, DS1650Y:
4096k非易失SRAM |
| DS1645AB,DS1645Y |
DS1645AB, DS1645Y:
1024k非易失SRAM |
| DS1630AB,DS1630Y |
DS1630AB, DS1630Y:
256k非易失SRAM |
| DS3900 |
DS3900:
串口通信模块,配合评估板使用 |
单芯片NVSRAM SMT模块:(16)
业界仅有的单芯片、表面贴装非易失SRAM单芯片NV SRAM模块为数据保护电路提供了一个更简单、更便利的方法,能够在不可预料的或不定期的掉电情况下为重要数据提供有效保护。该系列产品具备现有NV SRAM的全部功能,采用标准的27mm x 27mm BGA封装,可以采用与其它IC相同的工艺处理。这些NV SRAM模块无需手工安装电池帽或手工焊接,可采用标准的安装设备和回流焊处理工艺将其安装到PCB上。
单芯片结构的优势
- 使用标准的安装设备和回流焊工艺
- 无需人工安装电池帽
- 更高的可靠性
- 不存在多片互连/跳线问题
- 可承受更强的冲击/振动
|
| DS2030AB, DS2030Y |
DS2030AB, DS2030Y:
5V、单芯片NV SRAM模块、256k非易失SRAM |
| DS2045AB, DS2045Y |
DS2045AB, DS2045Y:
5V、
单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1M非易失SRAM |
| DS2030L |
DS2030L :
3.3V、单芯片NV SRAM模块、256kb非易失SRAM |
| DS2030W |
DS2030W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、32k x 8 = 256k非易失SRAM |
| DS2045L |
DS2045L :
3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM |
| DS2045W |
DS2045W :
3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM |
| DS2050W |
DS2050W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、512k x 8 = 4Mb非易失SRAM |
| DS2065W |
DS2065W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、1024k x 8=8Mb非易失SRAM |
| DS2070W |
DS2070W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、2048k x 8=16Mb非易失SRAM |
| DS3030W |
DS3030W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、32k x 8 = 256kb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3045W |
DS3045W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3050W |
DS3050W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、512k x 8=4Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3065W |
DS3065W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、1024k x 8=8Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3070W |
DS3070W:
3.3V、单芯片NV SRAM模块、2048k x 8=16Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| |
| DS3902 |
DS3902:
双路、非易失、可变电阻器,带有用户EEPROM |
| DS1870 |
DS1870: LDMOS
RF功放偏置控制器 |
| DS1994 |
DS1994:
4kb及时钟存储器iButton |
| DS1500 |
DS1500:
Y2K兼容、看门狗实时时钟,带有非易失控制 |
| DS1265W |
DS1265W:
3.3V、8Mb非易失SRAM |
| DS1270W |
DS1270W:
3.3V、16Mb非易失SRAM |
| DS1265AB, DS1265Y |
DS1265AB, DS1265Y:
8M非易失SRAM |
| DS1270AB, DS1270Y |
DS1270AB, DS1270Y:
16M非易失SRAM |
| DS1235AB,DS1235Y |
DS1235:
256k非易失SRAM;DS1235AB已由DS1230AB替代。DS1235Y已由DS1230Y替代。 |
| DS1330AB, DS1330Y |
DS1330AB, DS1330Y:
256k非易失SRAM,带有电池监控器 |
| DS1345AB, DS1345Y |
DS1345AB, DS1345Y:
1024k非易失SRAM,带有电池监视器 |
| DS1350AB, DS1350Y |
DS1350AB, DS1350Y:
4096k非易失SRAM,带有电池监视器 |
| DS1249AB, DS1249Y |
DS1249AB, DS1249Y:
2048k非易失SRAM |
| DS1249W |
DS1249W:
3.3V、2048k非易失SRAM |
| DS1230W |
DS1230W:
3.3V、256k非易失SRAM |
| DS1245W |
DS1245W:
3.3V、1024k非易失SRAM |
| DS1250W |
DS1250W:
3.3V、4096k非易失SRAM |
| DS1250W |
DS1330W:
3.3V、256k非易失SRAM,带有电池监控器 |
| DS1345W |
DS1345W:
3.3V、1024k非易失SRAM |
| DS1350W |
DS1350W:
3.3V、4096k非易失SRAM,带有电池监视器 |
| DS38464 |
DS38464: 3.3V、64k x
40非易失SRAM SIMM |
| DS1220AB, DS1220AD |
DS1220AB, DS1220AD:
16k非易失SRAM |
| DS1225AB, DS1225AD |
DS1225AB, DS1225AD:
64k非易失SRAM |
| DS1230AB, DS1230Y |
DS1230AB, DS1230Y:
256k非易失SRAM |
| DS1245AB, DS1245Y |
DS1245AB, DS1245Y:
1024k非易失SRAM |
| DS1250AB, DS1250Y |
DS1250AB, DS1250Y:
4096k非易失SRAM |
| DS9034PC,DS9034PCI |
DS9034PC, DS9034PCI:
PowerCap |
| DS1200 |
DS1200: 串行RAM芯片 |
| DS1258AB, DS1258Y |
DS1258AB, DS1258Y: 128k x
16非易失SRAM |
| DS1258W |
DS1258W: 3.3V、128k x
16非易失SRAM |
| DS3802 |
DS3802:
高级非易失SRAM电池 |
| DS2016 |
DS2016: 2k x
8、工作于3V/5V的静态RAM |
| DS1225Y |
DS1225Y:
64k非易失SRAM |
| DS1220Y |
DS1220Y:
16k非易失SRAM |
DS1216, DS1216B,
DS1216C,DS1216D,
DS1216E, DS1216F,
DS1216H |
DS1216, DS1216B,DS1216C,DS1216D,DS1216E, DS1216F,DS1216H: SmartWatch RAM DS1216B/C/D/H SmartWatch ROM DS1216E/F |
| DS1213B |
DS1213B:
智能插座16k/64k |
| DS1213C |
DS1213C:
智能插座256k |
| DS1213D |
DS1213D:
智能插座256k/1M |
| DS2227 |
DS2227:
灵活的非易失SRAM存储条 |
| DS1315 |
DS1315: 隐含时钟芯片 |
| DS1609 |
DS1609: 双口RAM |
| DS1217M |
DS1217M:
可读/写非易失盒式磁盘 |
| DS1205S |
DS1205S: 多密钥芯片 |
| DS1205V |
DS1205V: 多密钥 |
DS3600B, DS3600B+
S3600B+TRL |
DS3600B, DS3600B+,
DS3600B+TRL:
DS3600安全监控电路,64B电池备份加密SRAM |
