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- 功能与SRAM完全相同,内部电路监视VCC并当检测到VCC电压过低时自动切换到数据保持模式。
- 器件可提供十年以上的数据保持(我们新推出的单芯片NV SRAM模块将使用期限延长了2到3倍)。
- 结合了SRAM的快速读/写和经久耐用性以及非易失、自动写保护和自动电源切换等优势。
- 可回流焊接的SMT单芯片封装
| 芯片型号 | 数据资料 当前页面搜索：Ctrl+F |
| DS28CZ04EVKIT | DS28CZ04EVKIT: DS28CZ04评估板/评估系统 |
| DS28CM00EVKIT | DS28CM00EVKIT: DS28CM00评估板/评估系统 |
| DS28CZ04 | DS28CZ04: I2C 4k位EEPROM,带有4个输入/输出端口扩展器 |
| DS28CM00 | DS28CM00: I<2C/SMBus硅序列号 |
| MAX9975 | MAX9975: 双通道、低功耗、1200Mbps ATE驱动器/比较器,带有35mA负载 |
| DS1658AB, DS1658Y | DS1658AB, DS1658Y: 128k x 16非易失SRAM |
| DS1650AB, DS1650Y | DS1650AB, DS1650Y: 4096k非易失SRAM |
| DS1645AB,DS1645Y | DS1645AB, DS1645Y: 1024k非易失SRAM |
| DS1630AB,DS1630Y | DS1630AB, DS1630Y: 256k非易失SRAM |
| DS3900 | DS3900: 串口通信模块,配合评估板使用 |
| 单芯片NVSRAM SMT模块:(16) 业界仅有的单芯片、表面贴装非易失SRAM单芯片NV SRAM模块为数据保护电路提供了一个更简单、更便利的方法,能够在不可预料的或不定期的掉电情况下为重要数据提供有效保护。该系列产品具备现有NV SRAM的全部功能,采用标准的27mm x 27mm BGA封装,可以采用与其它IC相同的工艺处理。这些NV SRAM模块无需手工安装电池帽或手工焊接,可采用标准的安装设备和回流焊处理工艺将其安装到PCB上。 单芯片结构的优势
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| DS2030AB, DS2030Y | DS2030AB, DS2030Y: 5V、单芯片NV SRAM模块、256k非易失SRAM |
| DS2045AB, DS2045Y | DS2045AB, DS2045Y: 5V、 单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1M非易失SRAM |
| DS2030L | DS2030L : 3.3V、单芯片NV SRAM模块、256kb非易失SRAM |
| DS2030W | DS2030W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、32k x 8 = 256k非易失SRAM |
| DS2045L | DS2045L : 3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM |
| DS2045W | DS2045W : 3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM |
| DS2050W | DS2050W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、512k x 8 = 4Mb非易失SRAM |
| DS2065W | DS2065W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、1024k x 8=8Mb非易失SRAM |
| DS2070W | DS2070W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、2048k x 8=16Mb非易失SRAM |
| DS3030W | DS3030W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、32k x 8 = 256kb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3045W | DS3045W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3050W | DS3050W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、512k x 8=4Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3065W | DS3065W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、1024k x 8=8Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3070W | DS3070W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、2048k x 8=16Mb非易失SRAM,带有RTC时钟 |
| DS3902 | DS3902: 双路、非易失、可变电阻器,带有用户EEPROM |
| DS1870 | DS1870: LDMOS RF功放偏置控制器 |
| DS1994 | DS1994: 4kb及时钟存储器iButton |
| DS1500 | DS1500: Y2K兼容、看门狗实时时钟,带有非易失控制 |
| DS1265W | DS1265W: 3.3V、8Mb非易失SRAM |
| DS1270W | DS1270W: 3.3V、16Mb非易失SRAM |
| DS1265AB, DS1265Y | DS1265AB, DS1265Y: 8M非易失SRAM |
| DS1270AB, DS1270Y | DS1270AB, DS1270Y: 16M非易失SRAM |
| DS1235AB,DS1235Y | DS1235: 256k非易失SRAM;DS1235AB已由DS1230AB替代。DS1235Y已由DS1230Y替代。 |
| DS1330AB, DS1330Y | DS1330AB, DS1330Y: 256k非易失SRAM,带有电池监控器 |
| DS1345AB, DS1345Y | DS1345AB, DS1345Y: 1024k非易失SRAM,带有电池监视器 |
| DS1350AB, DS1350Y | DS1350AB, DS1350Y: 4096k非易失SRAM,带有电池监视器 |
| DS1249AB, DS1249Y | DS1249AB, DS1249Y: 2048k非易失SRAM |
| DS1249W | DS1249W: 3.3V、2048k非易失SRAM |
| DS1230W | DS1230W: 3.3V、256k非易失SRAM |
| DS1245W | DS1245W: 3.3V、1024k非易失SRAM |
| DS1250W | DS1250W: 3.3V、4096k非易失SRAM |
| DS1250W | DS1330W: 3.3V、256k非易失SRAM,带有电池监控器 |
| DS1345W | DS1345W: 3.3V、1024k非易失SRAM |
| DS1350W | DS1350W: 3.3V、4096k非易失SRAM,带有电池监视器 |
| DS38464 | DS38464: 3.3V、64k x 40非易失SRAM SIMM |
| DS1220AB, DS1220AD | DS1220AB, DS1220AD: 16k非易失SRAM |
| DS1225AB, DS1225AD | DS1225AB, DS1225AD: 64k非易失SRAM |
| DS1230AB, DS1230Y | DS1230AB, DS1230Y: 256k非易失SRAM |
| DS1245AB, DS1245Y | DS1245AB, DS1245Y: 1024k非易失SRAM |
| DS1250AB, DS1250Y | DS1250AB, DS1250Y: 4096k非易失SRAM |
| DS9034PC,DS9034PCI | DS9034PC, DS9034PCI: PowerCap |
| DS1200 | DS1200: 串行RAM芯片 |
| DS1258AB, DS1258Y | DS1258AB, DS1258Y: 128k x 16非易失SRAM |
| DS1258W | DS1258W: 3.3V、128k x 16非易失SRAM |
| DS3802 | DS3802: 高级非易失SRAM电池 |
| DS2016 | DS2016: 2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM |
| DS1225Y | DS1225Y: 64k非易失SRAM |
| DS1220Y | DS1220Y: 16k非易失SRAM |
| DS1216, DS1216B, DS1216C,DS1216D, DS1216E, DS1216F, DS1216H |
DS1216, DS1216B,DS1216C,DS1216D,DS1216E, DS1216F,DS1216H: SmartWatch RAM DS1216B/C/D/H SmartWatch ROM DS1216E/F |
| DS1213B | DS1213B: 智能插座16k/64k |
| DS1213C | DS1213C: 智能插座256k |
| DS1213D | DS1213D: 智能插座256k/1M |
| DS2227 | DS2227: 灵活的非易失SRAM存储条 |
| DS1315 | DS1315: 隐含时钟芯片 |
| DS1609 | DS1609: 双口RAM |
| DS1217M | DS1217M: 可读/写非易失盒式磁盘 |
| DS1205S | DS1205S: 多密钥芯片 |
| DS1205V | DS1205V: 多密钥 |
| DS3600B, DS3600B+ S3600B+TRL |
DS3600B, DS3600B+, DS3600B+TRL: DS3600安全监控电路,64B电池备份加密SRAM |
