BDTIC Maxim 美信/Dallas 达拉斯易失、非易失(NV)、多功能存储器.NV SRAM模块能够在没有外部供电的情况下,将数据保持十年以上。NV SRAM (非易失静态RAM)模块具有70ns的存取时间用于数据的读、写操作,操作次数不受限制,系统断电时可自动进入数据保护状态。提供多种封装形式,包括业界第一款可回流焊接的单片SMT模块

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NV SRAM模块能够在没有外部供电的情况下,将数据保持十年以上。NV SRAM (非易失静态RAM)模块具有70ns的存取时间用于数据的读、写操作,操作次数不受限制,系统断电时可自动进入数据保护状态。提供多种封装形式,包括业界第一款可回流焊接的单片SMT模块。

功能与SRAM完全相同,内部电路监视VCC并当检测到VCC电压过低时自动切换到数据保持模式。
器件可提供十年以上的数据保持(我们新推出的单芯片NV SRAM模块将使用期限延长了2到3倍)。
结合了SRAM的快速读/写和经久耐用性以及非易失、自动写保护和自动电源切换等优势。
可回流焊接的SMT单芯片封装

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DS28CZ04EVKIT	DS28CZ04EVKIT: DS28CZ04评估板/评估系统
DS28CM00EVKIT	DS28CM00EVKIT: DS28CM00评估板/评估系统
DS28CZ04	DS28CZ04: I²C 4k位EEPROM,带有4个输入/输出端口扩展器
DS28CM00	DS28CM00: I<2C/SMBus硅序列号
MAX9975	MAX9975: 双通道、低功耗、1200Mbps ATE驱动器/比较器,带有35mA负载
DS1658AB, DS1658Y	DS1658AB, DS1658Y: 128k x 16非易失SRAM
DS1650AB, DS1650Y	DS1650AB, DS1650Y: 4096k非易失SRAM
DS1645AB,DS1645Y	DS1645AB, DS1645Y: 1024k非易失SRAM
DS1630AB,DS1630Y	DS1630AB, DS1630Y: 256k非易失SRAM
DS3900	DS3900: 串口通信模块,配合评估板使用
单芯片NVSRAM SMT模块:(16) 业界仅有的单芯片、表面贴装非易失SRAM单芯片NV SRAM模块为数据保护电路提供了一个更简单、更便利的方法,能够在不可预料的或不定期的掉电情况下为重要数据提供有效保护。该系列产品具备现有NV SRAM的全部功能,采用标准的27mm x 27mm BGA封装,可以采用与其它IC相同的工艺处理。这些NV SRAM模块无需手工安装电池帽或手工焊接,可采用标准的安装设备和回流焊处理工艺将其安装到PCB上。单芯片结构的优势使用标准的安装设备和回流焊工艺无需人工安装电池帽降低装配成本更高的可靠性不存在多片互连/跳线问题可承受更强的冲击/振动
DS2030AB, DS2030Y	DS2030AB, DS2030Y: 5V、单芯片NV SRAM模块、256k非易失SRAM
DS2045AB, DS2045Y	DS2045AB, DS2045Y: 5V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1M非易失SRAM
DS2030L	DS2030L : 3.3V、单芯片NV SRAM模块、256kb非易失SRAM
DS2030W	DS2030W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、32k x 8 = 256k非易失SRAM
DS2045L	DS2045L : 3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM
DS2045W	DS2045W : 3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM
DS2050W	DS2050W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、512k x 8 = 4Mb非易失SRAM
DS2065W	DS2065W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、1024k x 8=8Mb非易失SRAM
DS2070W	DS2070W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、2048k x 8=16Mb非易失SRAM
DS3030W	DS3030W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、32k x 8 = 256kb非易失SRAM,带有RTC时钟
DS3045W	DS3045W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、128k x 8=1Mb非易失SRAM,带有RTC时钟
DS3050W	DS3050W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、512k x 8=4Mb非易失SRAM,带有RTC时钟
DS3065W	DS3065W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、1024k x 8=8Mb非易失SRAM,带有RTC时钟
DS3070W	DS3070W: 3.3V、单芯片NV SRAM模块、2048k x 8=16Mb非易失SRAM,带有RTC时钟

DS3902	DS3902: 双路、非易失、可变电阻器,带有用户EEPROM
DS1870	DS1870: LDMOS RF功放偏置控制器
DS1994	DS1994: 4kb及时钟存储器iButton
DS1500	DS1500: Y2K兼容、看门狗实时时钟,带有非易失控制
DS1265W	DS1265W: 3.3V、8Mb非易失SRAM
DS1270W	DS1270W: 3.3V、16Mb非易失SRAM
DS1265AB, DS1265Y	DS1265AB, DS1265Y: 8M非易失SRAM
DS1270AB, DS1270Y	DS1270AB, DS1270Y: 16M非易失SRAM
DS1235AB,DS1235Y	DS1235: 256k非易失SRAM;DS1235AB已由DS1230AB替代。DS1235Y已由DS1230Y替代。
DS1330AB, DS1330Y	DS1330AB, DS1330Y: 256k非易失SRAM,带有电池监控器
DS1345AB, DS1345Y	DS1345AB, DS1345Y: 1024k非易失SRAM,带有电池监视器
DS1350AB, DS1350Y	DS1350AB, DS1350Y: 4096k非易失SRAM,带有电池监视器
DS1249AB, DS1249Y	DS1249AB, DS1249Y: 2048k非易失SRAM
DS1249W	DS1249W: 3.3V、2048k非易失SRAM
DS1230W	DS1230W: 3.3V、256k非易失SRAM
DS1245W	DS1245W: 3.3V、1024k非易失SRAM
DS1250W	DS1250W: 3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W	DS1330W: 3.3V、256k非易失SRAM,带有电池监控器
DS1345W	DS1345W: 3.3V、1024k非易失SRAM
DS1350W	DS1350W: 3.3V、4096k非易失SRAM,带有电池监视器
DS38464	DS38464: 3.3V、64k x 40非易失SRAM SIMM
DS1220AB, DS1220AD	DS1220AB, DS1220AD: 16k非易失SRAM
DS1225AB, DS1225AD	DS1225AB, DS1225AD: 64k非易失SRAM
DS1230AB, DS1230Y	DS1230AB, DS1230Y: 256k非易失SRAM
DS1245AB, DS1245Y	DS1245AB, DS1245Y: 1024k非易失SRAM
DS1250AB, DS1250Y	DS1250AB, DS1250Y: 4096k非易失SRAM
DS9034PC,DS9034PCI	DS9034PC, DS9034PCI: PowerCap
DS1200	DS1200: 串行RAM芯片
DS1258AB, DS1258Y	DS1258AB, DS1258Y: 128k x 16非易失SRAM
DS1258W	DS1258W: 3.3V、128k x 16非易失SRAM
DS3802	DS3802: 高级非易失SRAM电池
DS2016	DS2016: 2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM
DS1225Y	DS1225Y: 64k非易失SRAM
DS1220Y	DS1220Y: 16k非易失SRAM
DS1216, DS1216B, DS1216C,DS1216D, DS1216E, DS1216F, DS1216H	DS1216, DS1216B,DS1216C,DS1216D,DS1216E, DS1216F,DS1216H: SmartWatch RAM DS1216B/C/D/H SmartWatch ROM DS1216E/F
DS1213B	DS1213B: 智能插座16k/64k
DS1213C	DS1213C: 智能插座256k
DS1213D	DS1213D: 智能插座256k/1M
DS2227	DS2227: 灵活的非易失SRAM存储条
DS1315	DS1315: 隐含时钟芯片
DS1609	DS1609: 双口RAM
DS1217M	DS1217M: 可读/写非易失盒式磁盘
DS1205S	DS1205S: 多密钥芯片
DS1205V	DS1205V: 多密钥
DS3600B, DS3600B+ S3600B+TRL	DS3600B, DS3600B+, DS3600B+TRL: DS3600安全监控电路,64B电池备份加密SRAM

单芯片结构的优势