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Micron美光双通道同步动态随机存储器DDR3 SDRAM

Part Density RoHS Depth Width Voltage Package Pin Count Clock Ra Cycle Ti Op. Temp. CL Data Rate 数据手册DataSheet下载
MT41J128M8BY-187 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066 MT41J128M8BY-187
MT41J128M8BY-187E 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066 MT41J128M8BY-187E
MT41J128M8BY-25 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800 MT41J128M8BY-25
MT41J128M8BY-25E 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800 MT41J128M8BY-25E
MT41J256M4BY-187 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066 MT41J256M4BY-187
MT41J256M4BY-187E 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066 MT41J256M4BY-187E
MT41J256M4BY-25 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800 MT41J256M4BY-25
MT41J256M4BY-25E 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800 MT41J256M4BY-25E
MT41J64M16LA-187 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066 MT41J64M16LA-187
MT41J64M16LA-187E 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066 MT41J64M16LA-187E
MT41J64M16LA-25 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800 MT41J64M16LA-25
MT41J64M16LA-25E 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800 MT41J64M16LA-25E

DDR3（Double Data Rate 3）相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。DDR3在DDR2基础上采用的许多新型设计：8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz；采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担；采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能等等。

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