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双通道同步动态随机存储器： SDRAM 同步动态随机存储器 、   DDR 、   DDR2 、   DDR3 、   RLDDRAM 全缓冲内存模组FBDIMM： FBDIMM 、   MiniDIMM 、

Micron美光全缓冲内存模组FBDIMM

    FB-DIMM内存全称Fully Buffered DIMM,全缓冲内存模组。为了适应计算机技术的飞速发展,提高内存子系统的发展空间,以解决普通的DDR 与 Registered DDR内存发展的局限性。

1、以串行的方式进行数据传输
首先,与目前的DIMM采用的是一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构不同,FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统的并行线路,而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计,以串行的方式进行数据传输。
在FB-DIMM架构中,每个DIMM上的缓冲区是相互串联的,之间为点对点的连接方式,数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区,这样,第一个缓冲区与内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定,从而有助于容量与频率的提升。

FB-DIMM系统架构图

不过,FB-DIMM的串行总线也有其独到之处：数据的上行线路由于14组线路对构成,一个周期可传输14bit数据,而下行线路却只有10组线路对,一个周期传输10bit数据。
这种不对等设计其实完全是根据实际需要出发,因为不管在任何时候,系统从内存中读取的数据往往比写入内存的数据要多,因此对上行线路的带宽要求也要比下行线路要高,这样不对等设计刚好起到平衡作用,在一定程度上使得读取与写入数据同步。 同时FB-DIMM所采用的串行接口多路并联的设计还有一个优点,那就是大大增加了抗干扰能力。FB-DIMM所使用的串行总线使用差分信号技术,通过一对线路来表达一下信号,即信号是由“0”或“1”两条线路的电压差来决定,这有点类似于PCI EXPRESS总线。因此此类设计的抗干扰能力要远优于传统的单线传输信号技术,毕竟两条线路之间的电压差是保持在一个相对稳定的水准。
因此FB-DIMM的总线可以工作在很高的频率之上：以FB-DIMM1.0版标准为例,它可以提供3.2GHz、4GHz 和4.8GHz三种数据传输率,这意味着即使是单通道FB-DIMM系统的也可以提供9.6GB/S、12GB/S和14.4GB/S的惊人带宽。

2、FB-DIMM内存的技术参数
a、数据传输率
根据FB-DIMM 1.0版标准,单通道的FB-DIMM分别可以达到9.6GB/s、12GB/s和14.4GB/s的接口带宽。这三种规格的FB-DIMM的读数据带宽分别为5.6GB/s、7GB/s和8.4GB/s,写数据带宽则为4GB/s、5GB/s和6GB/s。
b、最大DIMM模组数
在单通道情况下,FB-DIMM内存最多可以连接8条DIMM模组。但实际上,FB-DIMM支持双通道、四通道和六通道,因而,FB-DIMM内存可以实现48条FB-DIMM模组的连接能力,内存最大容量将达到192GB
c、物理尺寸
FB-DIMM内存的规格为133.5mm×30.5mm,金手指数量为240个,尽管不会完全利用,主要是考虑升级的需要。FB-DIMM上可容纳9、18或36颗内存芯片,标准方案为18颗：背面为10颗,正面8颗；AMB缓冲芯片位于正面中间,尺寸大小为24.5mm×19.5mm×21.5mm。
d、电压和功耗
FB-DIMM内存的供电将比传统的内存供电系统复杂些,它需要三种电压：驱动DDR2内存芯片需要1.8V、终结内存“命令/地址”需要0.9V,AMB缓冲芯片需要1.5V。与此同时,不同位置的FB-DIMM模组功耗有所不同：通道的第一条FB-DIMM模组功耗为3.4W,随着距离的增加,模组功耗呈下降趋势,最后一条模组的功耗只有2.4W。

Part Technology Density RoHS Comp. Count Depth Width Pin Count Op. Temp. Data Rate Speed CL Voltage Comp. Config ECC Module Ranks Register
MT18HTF12872FDY-53E DDR2 SDRAM 1GB Yes 18 128Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 64 Meg x 8 ECC Dual Rank Non Parity
MT18HTF12872FDY-667 DDR2 SDRAM 1GB Yes 18 128Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 64 Meg x 8 ECC Dual Rank Non Parity
MT18HTF12872FY-53E DDR2 SDRAM 1GB Yes 18 128Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 128 Meg x 4 ECC Single Rank Non Parity
MT18HTF12872FY-667 DDR2 SDRAM 1GB Yes 18 128Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 128 Meg x 4 ECC Single Rank Non Parity
MT18HTF25672FDY-53E DDR2 SDRAM 2GB Yes 18 256Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 128 Meg x 8 ECC Dual Rank Non Parity
MT18HTF25672FDY-667 DDR2 SDRAM 2GB Yes 18 256Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 128 Meg x 8 ECC Dual Rank Non Parity
MT18HTF25672FY-53E DDR2 SDRAM 2GB Yes 18 256Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 256 Meg x 4 ECC Single Rank Non Parity
MT18HTF25672FY-667 DDR2 SDRAM 2GB Yes 18 256Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 256 Meg x 4 ECC Single Rank Non Parity
MT36HTF25672FY-53E DDR2 SDRAM 2GB Yes 36 256Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 64 Meg x 8 ECC Dual Rank Non Parity
MT36HTF25672FY-667 DDR2 SDRAM 2GB Yes 36 256Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 64 Meg x 8 ECC Dual Rank Non Parity
MT36HTS51272FY-53E DDR2 SDRAM 4GB Yes 36 512Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 512 Meg x 4 ECC Dual Rank Non Parity
MT36HTS51272FY-667 DDR2 SDRAM 4GB Yes 36 512Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 512 Meg x 4 ECC Dual Rank Non Parity
MT9HTF12872FY-53E DDR2 SDRAM 1GB Yes 9 128Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 128 Meg x 8 ECC Single Rank Non Parity
MT9HTF12872FY-667 DDR2 SDRAM 1GB Yes 9 128Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 128 Meg x 8 ECC Single Rank Non Parity
MT9HTF6472FY-53E DDR2 SDRAM 512MB Yes 9 64Mb x72 240-pin 0C to +95C 533 MT/s PC2-4200 CL = 4 1.8V 64 Meg x 8 ECC Single Rank Non Parity
MT9HTF6472FY-667 DDR2 SDRAM 512MB Yes 9 64Mb x72 240-pin 0C to +95C 667 MT/s PC2-5300 CL = 5 1.8V 64 Meg x 8 ECC Single Rank Non Parity