GTL2003BQ 8位双向低电压变换器

射型收发器逻辑 - 收发器电压钳位(GTL-TVC)提供低通态电阻和最小传输延迟的高速电压变换。GTL2003提供八个带有共栅(GREF)的NMOS传输晶体管(Sn和Dn)和一个参考晶体管(SREF和DREF)。该器件允许0.8 V和5.0 V之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。当正确设置偏压时,可实现低于0.8 V的电压变换。有关更多信息,请参见应用注意事项AN11127。

当Sn或Dn端口为低电平时,钳位处于通态且Sn和Dn端口之间存在低电阻连接。假设Dn端口上为更高的电压,当Dn端口为高电平时,Sn端口上的电压限制为参考晶体管(SREF)设置的电压。当Sn端口为高电平时,上拉电阻会将Dn端口上拉至VDD1。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换,而无需方向控制。

所有晶体管具有相同的电特性,输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的,所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同,所以可在任何其他八个匹配Sn/Dn晶体管上寻找SREF和DREF,允许更方便的电路板布局。变换器的晶体管为低电压器件提供极佳的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。

产品特点 Features
  • 8位双向低电压变换器
  • 允许0.8 V、0.9 V、1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V总线(允许直接连接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5 V CMOS电平)之间的电压电平变换
  • 提供双向电压变换,无方向引脚
  • 输入和输出引脚(Sn/Dn)之间有低6.5 Ω导通状态阻抗(Ron)
  • 支持热插入
  • 无需电源:不会闭锁
  • 5 V耐受输入
  • 低待机电流
  • 直通引出线便于印刷电路板走线排布
  • ESD保护:按JESD22-A114超过2000 V HBM,按JESD22-C101超过1000 V CDM
  • 提供封装:TSSOP20、DHVQFN20
应用
  • 需要双向或单向电压电平变换的任何应用(从0.8 V至5.0 V的任意电压到0.8 V至5.0 V之间的任意电压转换)
  • 无方向引脚的开漏结构非常适合双向低电压(例如,0.8 V、0.9 V、1.0 V、1.2 V、1.5 V或1.8 V)处理器I²C总线端口变换至普通3.3 V和/或5.0 V I²C总线信号电平或GTL/GTL+变换至LVTTL/TTL信号电平。
产品实物图
GTL2003BQ 产品实物图
封装
型号 可订购的器件编号 订购码 (12NC) 产品状态 封装
GTL2003BQ 9352 841 87115 GTL2003BQ,115 量产 DHVQFN20 (SOT764-1)
订货和供应
型号 订购码 (12NC) 可订购的器件编号 化学成分
GTL2003BQ 9352 841 87115 GTL2003BQ,115 GTL2003BQ
GTL2003BQ 技术支持
档案名称 标题 类型 格式
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