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8位微控制器： NAND型Flash快闪存储器
Numonyx 恒忆公司原由ＳＴ 意法半导体NANDFlash 存储器，Intel 英特尔NORFlash存储器和Francisco Partners合资组建的闪存半导体公司。
在非易失性内存产品行业,NAND闪存市场增长速度最快。由于各类多媒体系统产品对非易失性内存的容量、性能与成本的要求日益提高,NAND闪存的市场需求得到了强有力的推动。对于需要很大数据存储空间的应用,如数码相机和摄像机、个人数字助理（PDA）、MP3播放器和消费类数字设备（包括3G手机）,以及移动式存储介质（如优盘和闪卡等）,NAND闪存是理想的解决方案。
ST的NAND闪存系列面向范围不断扩展的诸多应用。这些应用往往要求不同的存储容量（从128Mbit到8Gbit及以上）,不同的页面尺寸（528B/264W和2112B/1056W）,并载有模块化接口。此外,它们还要求内存的尺寸不受存储容量影响,支持1.8伏和3伏输入电压,还有各种封装方式。
ST 意法 NAND型Flash快闪存储器订购型号:
Flash卡,CompactFlash (4)| Generic Part Number | Package | Memory Size | Array Organization | Block Size | Page Size | Supply Voltage(Vcc) | Supply Voltage(Vcc) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Read Cycle Time | Block Erase Time | Page Program Time | Write/Erase Cycles |
| SMC01GBF | Compact Flash Card Type1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| SMC02GBF | Compact Flash Card Type1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| SMC256BF | Compact Flash Card Type1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| SMC512BF | Compact Flash Card Type1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
MCP, Flash NAND + LPSRAM (4)
| Generic Part Number | Package | Memory Size | Array Organization | SRAM #1 Memory Size | SRAM #1 Memory Organization | Supply Voltage(Vcc) | Supply Voltage(Vcc) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Operating Ambient Temperature(Ta) |
| NAND01G-M | LFBGA137 | - | - | - | - | - | - | -30 | 85 |
| NAND01G-N | TFBGA149 | - | - | - | - | - | - | -30 | 85 |
| NAND256-M | TFBGA149 | - | - | - | - | - | - | -30 | 85 |
| NAND512-M | TFBGA107; TFBGA149 | - | - | - | - | - | - | -25 | 85 |
NAND MLC 大型页面 (1)
| Generic Part Number | Package | Status | Memory Size | Array Organization | Block Size | Page Size | Supply Voltage(Vcc) | Supply Voltage(Vcc) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Read Cycle Time | Block Erase Time | Page Program Time | Write/Erase Cycles | Data Retention |
| NAND04GW3C2A | TSOP-1 48 12x20 CU | NRND | 4096 | 512Mbx8 | 264 | 2112 | 2.7 | 3.6 | 0 | 70 | 60 | 1.5 | 800 | 10000 | 10 |
NAND SLC 大型页面 (8)
| Generic Part Number | Status | Memory Size | Array Organization | Block Size | Page Size | Supply Voltage(Vcc) | Supply Voltage(Vcc) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Read Cycle Time | Block Erase Time | Page Program Time | Write/Erase Cycles | Data Retention |
| NAND01GR3B | NRND | 1024 | 128Mbx8 | 132 | 2112 | 1.7 | 1.95 | -40 | 85 | 60 | 2 | 300 | 100000 | 10 |
| NAND01GR3B2B | Active | 1024 | 128Mbx8 | 132 | 2112 | 1.7 | 1.95 | -40 | 85 | 50 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND01GW3B | Evaluation | 1024 | 128Mbx8 | 132 | 2112 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 50 | 2 | 300 | 100000 | 10 |
| NAND01GW3B2B | Active | 1024 | 128Mbx8 | 132 | 2112 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 30 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND02GR3B2C | Evaluation | 2048 | 256Mbx8 | 132 | 2112 | 1.7 | 1.95 | -40 | 85 | 50 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND02GW3B2C | Active | 2048 | 256Mbx8 | 132 | 2112 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 30 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND04GW3B2B | Active | 4096 | 512Mbx8 | 132 | 2112 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 30 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND08GW3B2A | Active | 8192 | 1Gbx8 | 132 | 2112 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 30 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
NAND SLC 小型页面 (8)
| Generic Part Number | Package | Memory Size | Array Organization | Block Size | Page Size | Supply Voltage(Vcc) | Supply Voltage(Vcc) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Operating Ambient Temperature(Ta) | Read Cycle Time | Block Erase Time | Page Program Time | Write/Erase Cycles | Data Retention |
| NAND01GW3A2B-KGD | TESTED UNSAWN WAFER STAT. V.I. | 1024 | 128Mbx8 | 16 | 528 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 50 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND128W3A | TSOP-1 48 12x20 CU | 128 | 16Mbx8 | 16 | 528 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 50 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND256R3A | VFBGA55 | 256 | 32Mbx8 | 16 | 528 | 1.7 | 1.95 | -40 | 85 | 60 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND256W3A | TSOP-1 48 12x20 CU; VFBGA55 | 256 | 32Mbx8 | 16 | 528 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 50 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND512R3A | VFBGA63 | 512 | 64Mbx8 | 16 | 528 | 1.7 | 1.95 | -40 | 85 | 60 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND512R3A2C | VFBGA63 | 512 | 64Mbx8 | 16 | 528 | 1.7 | 1.95 | -40 | 85 | 50 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND512W3A | TSOP-1 48 12x20 CU; VFBGA63 | 512 | 64Mbx8 | 16 | 528 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 50 | 2 | 200 | 100000 | 10 |
| NAND512W3A2C | TSOP-1 48 12x20 CU; VFBGA63 | 512 | 64Mbx8 | 16 | 528 | 2.7 | 3.6 | -40 | 85 | 30 | 2 | 200 | 100000 | 10 |