G3VM-81G1 MOS FET继电器

使MOS FET和红外发光二极管进行光结合的MOS FET继电器新推出负载电压80V系列产品,SOP4脚封装

欧姆龙MOS FET继电器型号 G3VM-81G1 特点如下

订购型号

形状 接点结构 端子种类 负载电压(最大)*
型号
最小包装单位
每杆装数量 每卷装数量
SOP4 1a 表面安装端子 80V G3VM-81G1 100
G3VM-81G1(TR) 2,500

* 负载电压(最大):表示峰值AC、DC

额定值

·绝对最大额定(Ta=25℃)
项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 50 mA  
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta>=25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 80 V  
连续负载电流(峰值AC/DC) IO 350 mA  
导通电流降低比率 △IO/℃ -3.5 mA/℃ Ta>=25℃
粘合部位温度 TJ 125  
输入输出间耐压(注1) VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -20~+85 无结冰、无凝露
贮藏温度 Tstg -40~+125 无结冰、无凝露
焊接温度条件 260 10s

(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta=25℃)
项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 µA VR=5V
端子间电容 CT 15 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 1.0 4.0 mA IO=350mA
输出侧 最大输出导通电阻 RON 1.0 1.2 Ω IF=5mA、IO=350mA
开路时漏电流 ILEAK 0.2 1.0 nA VOFF=30V、Ta=50℃
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、RoH ≤ 60%
动作时间 tON 0.3 0.5 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间 tOFF 0.3 0.5 ms

注2:IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V 表示动作时间和复位时间

推荐动作条件

为了保证继电器的正确动作和复位,请在以下条件下使用。

项目 符号 最小 标准 最大 单位
负载电压(峰值AC/DC) VDD -- -- 64 V
动作LED正向电流 IF -5 -- 30 mA
连续负载电流(峰值AC/DC) Io -- -- 350 mA
动作温度 Ta -25 -- 60

G3VM-81G1 外形标记图和端子内部接线图

G3VM-81G1 应用领域

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