NTZD5110N:Small Signal MOSFET 60V 310 mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SOT-563 ESD

This is a 60 V N-Channel Power MOSFET.

技术特性
  • Low RDS(on)Improving System Efficiency
  • Low Threshold Voltage
  • ESD Protected Gate
  • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
  • These are Pb−Free Devices
优势
  • Space Saving Solution, Industry STD Footprint
  • System Efficiency Improvement
封装图 PACKAGE DIMENSIONS

NTZD5110N封装图

订购信息 Ordering Information
产品 状况 Compliance 具体说明 封装 MSL* 容器 预算价格 (1千个数量的单价)
类型 外形 类型 数量
NTZD5110NT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 60V 310 mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SOT-563 ESD SOT-563 463A-01 1 Tape and Reel 4000 $0.0711
NTZD5110NT5G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 60V 310 mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SOT-563 ESD SOT-563 463A-01 1 Tape and Reel 8000  
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概述 文档编号/大小 版本
Small Signal MOSFET 60V 310 mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SOT-563 ESD NTZD5110N/D (94.0kB) 2