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 FRAM 铁电存储器 Ramtron单片机 HVDAC 高压数模转换器 HVDAC200-4 非易失性状态保持器FM1105和FM1106 |
内嵌FRAM的高速8051 MCU
2006年5月22日——领先的非易失性铁电随机存储器（FRAM）和集成半导体产品领先的开发商和供应商瑞创（RAMTRON）国际宣布推出VRS51L3074,市场上第一个基于8051带非易失性FRAM存储器的微控制器。瑞创将FRAM加入到其快速而灵活的Versa 8051系列以支持快速而可靠的非易失性数据存储和处理系统,此特性仅增强型FRAM MCU可以提供。
FRAM代替FLASH/EEPROM支持非易失性数据存储
FRAM通过消除伴随FLASH数据存储的代码管理和限制寿命以及FLASH/EEPROM专门的写周期简化了设计周期。跟FLASH、FRAM字节不同,它可以修改而无需首先清除整个扇区,使之易于使用。并且,跟FLASH/EEPROM不同,FRAM提供本质上无限的读/写周期和快速数据写速度。
应用领域
VRS51L3074针对从传感器和计量到工业控制、仪器和医疗设备的广泛的应用范围,提供理想的嵌入式数据获得方案。
RAMTRON MCU选型指南
| VRS51L3074 | VRS51L2070 | ||
| 内核(8051) | 晶振 | 40MHz | 40MHz |
| 指令周期 | 单指令周期 | 单指令周期 | |
| 内部晶振 | Y | Y | |
| DSP功能 | Y | Y | |
| FLASH空间 | 64K | 8K/16K/32K/64K | |
| FRAM空间 | 8K | / | |
| RAM空间 | 4K+256B | 4K+256B | |
| 数据指针 | 双 | 双 | |
| 外设 | I/O口 | 56 | 56 |
| JTAG口 | Y | Y | |
| UART口 | 2 | 2 | |
| 波特率发生器 | 2 | 2 | |
| IIC口 | 1 | 1 | |
| SPI口 | Y | Y | |
| 16位定时器 | 3 | 3 | |
| PWC | 2 | 2 | |
| PWM | 16BIT | 16BIT | |
| 其它 | WDT | Y | Y |
| 省电模式 | Y | Y | |
| 上电复位 掉电检测 | Y | Y | |
| 工作电压 | 3.3V | 3.3V | |
| 工作温度 | -40℃~85℃ | -40℃~85℃ | |
| 封装 | QFP-64 | QFP-64 |
VRS51L3074特性
- 8K x 8 FRAM:8KB全真非易失性RAM（无电池/优越的电容要求用来保持数据）映射到VRS51L3074的XRAM存储器以支持简易存储、快速写操作和本质上无线的寿命。
- 40MHz、单周期8051处理器：这是市场上最快速的8位处理器之一。其先进的内核可以提供高达40 MIPS的吞吐量,并且与标准8051指令兼容,支持流畅的数据移植。
- 带32位桶式移位器的MULT/ACCU/DIV单元：此硬件计算引擎在执行DSP操作时（FIR过滤、传感器输出线性、多字节算法操作等）性能大大地超过8位处理器。它在一个周期中（40 MHz）执行16位乘法和32位加法,并在5个周期（40MHz）中执行16位除法。桶式移位器激活逻辑/算法转换操作。
- 40MHz精确内部振荡器：VRS51L3074内部振荡器通过消除外部晶体振荡器提供优于2％的精度并减少了系统成本。
- JTAG 接口：对于用户友好和需要器件快速编程以及实时在线调试/仿真的用户应用,无需昂贵的仿真器。带波特率发生器的双UART：通用异步接收器/发射器操作速度达1.25 Mbps。每一UART合并了一个专门的具16位分辨率和4位微波特率调节的波特率发生器。
- 增强的SPI：串行外设接口上的通信速度可以配置达20 Mbps,数据交易可从1至32位间调节。
- PWC：两个脉冲计数器模块提供先进的定时器控制特性,简化事件持续时间测试
- PWM：VRS51L3074合并了8个具16位可调节分辨率的脉宽调节器。每一PWM包括其自身的定时器,它也可以用作通用定时器。
其他支持外设包括一个I2C接口、3个带3个定时器捕获输入的16位通用定时器/计数器、看门狗定时器和49个共享16个中断矢量的中断。封装形式为QFP-64。
内嵌Fram存储的高速MCU与其他MCU的性能比对
订购型号
- VRS51L3074：速度高达40MIPS的高性能单周期8051内核;64KBflash空间,支持IAP,ISP功能;4352Bytes of RAM(4K+256) 4K可以用于编程和数据存储;最大支持外扩32KB数据空间8000h-FFFFh;JTAG接口用于给系统FLASH编程和在线仿真;56个IO口(P0-P6);2个串口,均带有波特率发生器,最高速度达到1.2Mbps;增强型SPI口(可配置发送长度最大48字节);增强型IIC口(支持主从模式)最大1.25MHz速度;16个外部中断脚,支持外部引脚电平变化产生中断;3个16位通用定时器计数器,可级联成24位32位48位;2个捕捉输入;2个脉冲宽度记数;8个独立的PWM控制器,均带有独立的时钟,16位精度;高精度内部晶振40MHZ;动态时钟调整;省电模式可以单独关断任何外设;上电复位,掉电复位功能;WDT功能;工作电压3.3V;工作温度-40℃-+85℃.
- VRS51L2070：速度高达40MIPS的高性能单周期8051内核;64KBflash空间,支持IAP,ISP功能;4352Bytes of RAM(4K+256) 4K可以用于编程和数据存储;最大支持外扩32KB数据空间8000h-FFFFh;JTAG接口用于给系统FLASH编程和在线仿真;56个IO口(P0-P6);2个串口,均带有波特率发生器,最高速度达到1.2Mbps;增强型SPI口(可配置发送长度最大48字节);增强型IIC口(支持主从模式)最大1.25MHz速度;16个外部中断脚,支持外部引脚电平变化产生中断;3个16位通用定时器计数器,可级联成24位32位48位;2个捕捉输入;2个脉冲宽度记数;8个独立的PWM控制器,均带有独立的时钟,16位精度;高精度内部晶振40MHZ;动态时钟调整;省电模式可以单独关断任何外设;上电复位,掉电复位功能;WDT功能;工作电压3.3V;工作温度-40℃-+85℃.
订购参数：
| Product | Flash Memory | Package | SRAM | speed | VDD | I/O |
| VRS51L3074 | 64KB & 8KB FRAM | TQFP64 | 4352B | 40MHZ | 3.3V | 56 |
| VRS51L2070 | 64KB | TQFP64 | 4352B | 40MHZ | 3.3V | 56 |