STP10P6F6 P-channel 60 V, 0.15 Ohm typ., 10 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package

These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages

技术特性

RDS(on)* Qgindustry benchmark
Extremely low on-resistance RDS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses

应用领域

Switching application

内部原理图

STP10P6F6 订购信息

订购型号	产品状态	美金价格	数量	封装	包装形式	温度范围	材料声明
STP10P6F6	Active		1000	TO-220AB	Tube		STP10P6F6

DATASHEET

描述	版本	大小
STP10P6F6 :DS8964: P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages	2	486KB

APPLICATION NOTES

描述	版本	大小
AN1703: Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages	1	760KB