FRAM

• Ramtron 瑞创国际非易性铁电存储器FRAM

1. FM31系列
2. FM31256:256Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI、双16位事件记数器、 无限制的读写次数、掉电数据保持10年、无延时写操作、备用电流低至1MA 秒至年采用BCD格式编码、自动闰年调整、使用标准的32.768KHZ晶振（6PF）、软件校准、支持电池及电容后备、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁、支持以前的100K&400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址 RTC、监测控制功能统一通过二线制接口操作、电源范围为2.7V-5.5V、小封装14引脚SOIC 动态操作电流极低、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM31256-S、绿色封装 FM31256-G
3. FM3164:64Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI、双16位事件记数器、 无限制的读写次数、掉电数据保持10年、无延时写操作、备用电流低至1MA 秒至年采用BCD格式编码、自动闰年调整、使用标准的32.768KHZ晶振（6PF）、软件校准、支持电池及电容后备、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁、支持以前的100K&400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址 RTC、监测控制功能统一通过二线制接口操作、电源范围为2.7V-5.5V、小封装14引脚SOIC 动态操作电流极低、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM3164、绿色封装 FM3164-G
4. FM3116:16Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI、双16位事件记数器、 无限制的读写次数、掉电数据保持10年、无延时写操作、备用电流低至1MA 秒至年采用BCD格式编码、自动闰年调整、使用标准的32.768KHZ晶振（6PF）、软件校准、支持电池及电容后备、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁、支持以前的100K &400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址 RTC、监测控制功能统一通过二线制接口操作、电源范围为2.7V-5.5V、小封装14引脚SOIC 动态操作电流极低、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM3116、绿色封装 FM3116-G
5. FM3104:4Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI、双16位事件记数器、 无限制的读写次数、掉电数据保持10年、无延时写操作、备用电流低至1MA 秒至年采用BCD格式编码、自动闰年调整、使用标准的32.768KHZ晶振（6PF）、软件校准、支持电池及电容后备、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁、支持以前的100K & 400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址 RTC、监测控制功能统一通过二线制接口操作、电源范围为2.7V-5.5V、小封装14引脚SOIC 动态操作电流极低、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM3104-S、绿色封装 FM3104-G
6. FM32系列
7. FM32256：256Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI 双16位事件记数器、无限次的读写次数、掉电后数据保存十年、写操作无延时、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、手动复位输入、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、 快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁 、支持以前的100K&400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址、电源范围为2.7V-5.5V 、小封装14引脚SOIC、动态操作电流极低 、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM32256-S 绿色封装 FM32256-G
8. FM3264：64Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI 双16位事件记数器、无限次的读写次数、掉电后数据保存十年、写操作无延时、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、手动复位输入、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁 、支持以前的100K&400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址、电源范围为2.7V-5.5V 、小封装14引脚SOIC、动态操作电流极低 、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM3264-S FM3264 FM3256-G
9. FM3216：64Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI 双16位事件记数器、无限次的读写次数、掉电后数据保存十年、写操作无延时、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、手动复位输入、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁 、支持以前的100K&400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址、电源范围为2.7V-5.5V 、小封装14引脚SOIC、动态操作电流极低 、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM3216-S 绿色封装 FM3216-G
10. FM3204：4Kb铁电非易失性RAM 、早期电源失效告警/NMI 双16位事件记数器、无限次的读写次数、掉电后数据保存十年、写操作无延时、电源及看门狗低有效复位输出、可编程低电压复位门限、手动复位输入、可编程看门狗记数器、电池后备的双事件记数器用于记录系统干扰或其它事件、比较器用于电源失效中断或者其它用途、带锁定的64位串行数据标识、快速的二线制串行接口、最高达1M总线时钟频繁、支持以前的100K & 400K总线速度、器件地址选择管脚用于最多四只芯片寻址、电源范围为2.7V-5.5V、小封装14引脚SOIC、动态操作电流极低 、-40°C 至 +85°C 温度操作范围。订货信息 FM3204-S 绿色封装 FM3204-G
11. FM33系列
12. FM33256：256Kb铁电非易失性RAM 、工作电压范围为2.7至3.6V,可在整个工业温度范围内(-40℃至85℃)工作。可编程低VDD电压复位、可编程看门狗定时器、手动复位功能、非易失性事件计数器、可锁定串行编号,以及用于预警断电中断(NMI)的通用比较器等
13. FM3316：16Kb铁电非易失性RAM 、工作电压范围为2.7至3.6V,可在整个工业温度范围内(-40℃至85℃)工作。可编程低VDD电压复位、可编程看门狗定时器、手动复位功能、非易失性事件计数器、可锁定串行编号,以及用于预警断电中断(NMI)的通用比较器等
14. 多功能铁电存储 Specialty Memory
15. FM30C256：256K位铁电非易失性存储器、FM30C256 是一个容量为256Kb 数据采集子系统,它包含非易失性存储器,实时时钟、CPU 监测、系统干扰检测等功能,非易失性存储器采用了FRAM 技术,它对于无需无电池后备的非易失性数据存储及数据采集应用是非常理想的,在其它方面,它提供了与SRAM 类似的性能,FRAM 写操作以总线速度完成,没有写延时,写操作可以连续进行,没有页面限制。另外,它提供了比其它非易失性存储器高得多的写持久性能。FM30C256 支持100 亿次的读写周期。FM30C256 集成了带电池后备的时钟记录器,时钟记录器包含用于记录时间及日期信息的寄存器,时钟包含可用于调整时钟精度的校准模式。为了保证数据的完整性,FM30C256 在电源越限时提供了一个复位信号,当电源恢复正常状态后,复位信号保持100Ms 有效,FM30C256 同时提供了一个带电池后备的干扰检测电路,用于记录TIN 管脚的上升沿输入,当此事件发生时,一个电池后备的标志位被设置,此标志位仅能由软件清除。FM30C256 提供20 脚位的标准SOIC 封装,运行温度高于工业要求,为–40°C to +85°C 。订货信息 FM30C256-S 20 pin SOIC
16. FM3130：推出64Kb位铁电非易失性存储器、电源范围为2.7-5.5V、内嵌铁电存储器的处理器外围芯片产品FM3130,在微型封装中结合了非易失性铁电存储器FRAM和RTC (实时时钟/日历)功能。订货信息 绿色封装 FM3130-G FM3130-DG

备注：

FRAM铁电存储器相对于其它类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好,可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。

非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。正如你所猜想的一样,被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作,而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢,而且只能有限次的擦写,写入时功耗大。

铁电存储器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。