CSD16321Q5 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD16321Q5 CSD16325Q5
VDS(V) 25   25  
VGS(V) 10   10  
VGSTH(V) 1.1   1.1  
RDS(on) at VGS=4.5V(mOhm) 2.1   1.7  
QGD(nC) 2.5   3.5  
QGS(nC) 4   6.6  
QG(nC) 14   18  
Operating Temperature Range(°C) -55 to 150   -55 to 150  
Pin/Package 8SON   8SON
CSD16321Q5 描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

CSD16321Q5 特性
CSD16321Q5 芯片订购指南
器件 状态 温度 (oC) 价格(美元) 封装 | 引脚 封装数量 | 封装载体 丝印标记
CSD16321Q5 ACTIVE -55 to 150 0.36 | 1ku SON (DQH) | 8 2500 | LARGE T&R  
CSD16321Q5 质量与无铅数据
器件 环保计划* 铅/焊球涂层 MSL 等级/回流焊峰 环保信息与无铅 (Pb-free) DPPM / MTBF / FIT 率
CSD16321Q5 Pb-Free (RoHS Exempt) CU SN Level-1-260C-UNLIM CSD16321Q5 CSD16321Q5
CSD16321Q5 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
  1. CSD16321Q5 数据资料 dataSheet 下载.PDF
  2. TI 德州仪器MOSFET 驱动器选型与价格参考 . xls
  3. Dual MOSFET Driver (PDF  498 KB)
  4. 全面认识开关型电源中的BUCK-BOOST功率级 (Rev. A)   (PDF  2206 KB)
  5. Understanding Boost Power Stages In Switchmode Power Supplies   (PDF  149 KB)
  6. Understanding Buck Power Stages In Switchmode Power Supplies   (PDF  173 KB)
  7. 标准线性产品交叉参考 (Rev. D)   (PDF  1058 KB)
  8. 模数规格和性能特性术语表 (Rev. A) (PDF 1993 KB)
  9. 所选封装材料的热学和电学性质 (PDF 645 KB)
  10. 高速数据转换 (PDF 1967 KB)