TLC2201-SP 空间低噪声精密高级 LinCMOS(TM) 单路运算放大器

TLC2201 是一款精密、低噪声运算放大器,运用了 TI 先进的 LinCMOS 制造工艺。 该器件将极低噪声 JFET 放大器的噪声性能与以往仅双极型放大器可提供的直流 (dc) 精度完美地组合在了一起。 Advanced LinCMOS工艺采用硅栅技术来获得远远超过采用金属栅技术所能获得的随温度和时间变化的输入失调电压稳定性。 此外,这项工艺技术还可实现达到或超过顶栅 JFET 和昂贵的介质隔离器件所提供的输入阻抗位准 (impedance level)。

由于兼具卓越的直流和噪声性能以及一个包括负电源轨的共模输入范围,因而使得这些器件非常适合于单电源或分离电源配置中的高阻抗、低电平信号调节应用。

器件输入和输出专为承受-100mA 的浪涌电流而设计,而不会发生持续闭锁的现象。 此外,依据 MIL-PRF-38535、Method 3015.2 所进行的测试还证实:该器件的内部 ESD 保护电路可防止在高达 2000V 的电压条件下出现功能故障;不过,在使用这些器件时应谨慎从事,因为遭受 ESD 有可能导致参数性能的下降。

TLC2201 针对完整军用温度范围内 (-40℃ 至 125℃ )的运作进行了特性分析


TLC2201-SP
Total Supply Voltage (V)(Min)(+5V=5, +/-5V=10) 4.6  
Total Supply Voltage (V)(Max)(+5V=5, +/-5V=10) 16  
GBW(Typ)(MHz) 1.9  
Slew Rate(Typ)(V/us) 2.7  
VIO (25 deg C)(Max)(mV) 0.2  
Offset Drift(Typ)(uV/C) 0.5  
IIB(Max)(pA) 500  
CMRR(Min)(dB) 60  
Vn at 1kHz(Typ)(nV/rtHz) 15  
Rail-Rail Out  
Rating Space  
Pin/Package 20LCCC  
Operating Temperature Range(C) -55 to 125
TLC2201-SP 特性
TLC2201-SP 芯片订购指南
器件 状态 温度 价格(美元) 封装 | 引脚 封装数量 | 封装载体 丝印标记
5962-9088203V2A ACTIVE -55 to 125 395.40 | 100u LCCC (FK) | 20 1 | BULK  
TLC2201-SP 质量与无铅数据
器件 环保计划* 铅/焊球涂层 MSL 等级/回流焊峰 环保信息与无铅 (Pb-free) DPPM / MTBF / FIT 率
5962-9088203V2A TBD  POST-PLATE  N/A for Pkg Type 5962-9088203V2A 5962-9088203V2A
TLC2201-SP 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
  1. TLC2201-SP 数据资料 dataSheet 下载.PDF
  2. TI 德州仪器仪运算放大器 (Op Amp)产品选型与价格 . xls
  3. 所选封装材料的热学和电学性质 (PDF 645 KB)
  4. 高速数据转换 (PDF 1967 KB)
  5. 在 PSPICE 中使用德州仪器 (TI) SPICE 模型 (zhca088.HTM, 8 KB)
  6. PowerPAD™ Thermally Enhanced Package (slma002g.HTM, 8 KB)
  7. 运算放大器的单电源操作 (PDF 2174 KB)
  8. Tuning in Amplifiers (PDF 44 KB)
  9. Op Amp Performance Analysis (PDF 76 KB)
  10. An Error Analysis of the ISO102 in a Small Signal Measuring Application (PDF 29 KB)
  11. Level Shifting Signals with Differential Amplifiers (PDF 23 KB)
  12. Operational Amplifier Macromodels: A Comparison (PDF 59 KB)