GaN FET

分立器件
型号 描述 频率(GHz) 增益(dB) 功率(dBm) NF/PAE Vd(V) IQ(mA)
T1G4005528-FS 55W, 28V, DC-3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管 DC - 3.5 15 47.2 >50% 28 200
T1G6000528-Q3 7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管 DC - 6 10 39.5 >50% 28 50
T1G6001528-Q3 18W, 28V, DC-6 GHz, GaN 射频功率晶体管 DC - 6 15 43.4 >50% 28 50
T1G6003028-FS 30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管 DC - 6 14 45 - 28 200
TGF2023-01 6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 >38 55% 28 - 40 125
TGF2023-02 12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 > 41 55% 28 - 40 250
TGF2023-05 25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN DC - 18 15 > 44 55% 28 - 40 500
TGF2023-10 SiC HEMT 50W分立功率 GaN DC - 18 15 > 47 55% 28 - 40 1000
TGF2023-20 SiC HEMT 100W分立功率 GaN DC - 18 15 > 50 55% 28 - 40 2000