| 型号 | 描述 | 频率(GHz) | 增益(dB) | 功率(dBm) | NF/PAE | Vd(V) | IQ(mA) |
| T1G4005528-FS | 55W, 28V, DC-3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管 | DC - 3.5 | 15 | 47.2 | >50% | 28 | 200 |
| T1G6000528-Q3 | 7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管 | DC - 6 | 10 | 39.5 | >50% | 28 | 50 |
| T1G6001528-Q3 | 18W, 28V, DC-6 GHz, GaN 射频功率晶体管 | DC - 6 | 15 | 43.4 | >50% | 28 | 50 |
| T1G6003028-FS | 30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管 | DC - 6 | 14 | 45 | - | 28 | 200 |
| TGF2023-01 | 6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN | DC - 18 | 15 | >38 | 55% | 28 - 40 | 125 |
| TGF2023-02 | 12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN | DC - 18 | 15 | > 41 | 55% | 28 - 40 | 250 |
| TGF2023-05 | 25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN | DC - 18 | 15 | > 44 | 55% | 28 - 40 | 500 |
| TGF2023-10 | SiC HEMT 50W分立功率 GaN | DC - 18 | 15 | > 47 | 55% | 28 - 40 | 1000 |
| TGF2023-20 | SiC HEMT 100W分立功率 GaN | DC - 18 | 15 | > 50 | 55% | 28 - 40 | 2000 |
