ADN3010-11 11.3 Gbps光接收机
ADN3010-11是一款高速光接收机，采用与硅TIA和LA单片集成的专有大面积锗光电二极管。集成光电二极管省去了二极管与TIA之间的焊线，从而保证性能并改善制造可靠性。 直径为50 μm的光电监测器与单模光纤(SMF)对准时，可实现简单的光耦合设计。 对1310 nm ARC进行优化后，ADN3010-11支持10GBASE-LR和扩展数据速率达11.3 Gbps的其它应用。
虽然ADN3010-11的工作波长范围为850 nm至1565 nm，但在数据手册中，其中心1310 nm处具有抗反射涂层(ARC)，表征数值仅为原波段（O波段）波长（1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm和1330 nm）。
电源监控引脚提供输出电压或电流，与检测到的平均光电流成比例。
ADN3010-11采用3.3 V单电源供电，典型功耗为102 mW。 在饱和输出下，典型差分幅度为460 mV p-p (10.52 Gbps)。
ADN3010-11提供裸片形式，工作温度范围为−40°C至+85°C扩展工业温度范围。
应用
产品特点和性能优势集成式SiGe PIN光电二极管、跨导放大器(TIA)和限幅放大器(LA)电源监控输出：1.0 A/W（O波段波长）50 μm直径锗光电二极管输入灵敏度POMA = −16.5 dBmPAVE = −17.3 dBm (ER = 6 dB)PRBS31 (10.52 Gbps)，BER = 10−12，λ = 1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm 和 1330 nm抗反射涂层(ARC)优化至1310 nm3.3 V单电源功耗：102 mW差分输出摆幅：460 mV p-p片内电源监控器功能芯片尺寸：0.835 mm × 0.675 mm | |
数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| ADN3010-11-50A-DF 量产 | CHIPS OR DIE | OTH 3172 | -40 至 85至 | 7.25 | 3.75 | Y |
| ADN3010-11-50A-RL7 量产 | CHIPS OR DIE | REEL 5000 | -40 至 85至 | 0 | 0 | Y |
| ADN3010-11-50X-DF 停产 | CHIPS OR DIE | OTH 0 | | 0 | 0 | Y |
