HMC-MDB218 次谐波I/Q混频器/IRM芯片，54 - 64 GHz
HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。
所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
应用
- 短程/高容量无线电
- 卫星通信
- 军用雷达、ECM和EW
- 传感器
- 测试和测量设备
产品特点和性能优势- 宽IF带宽： DC - 3 GHz
- RF频率： 54至64 GHz
- LO频率 27至32 GHz
- 高镜像抑制： 30 dB
- 无源；无需直流偏置
- 裸片尺寸： 1.54 x 1.41 x 0.1 mm
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数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| HMC-MDB218 量产 | CHIPS OR DIE | OTH 50 | -55 至 85至 | 46 | 37.26 | Y |
参考资料
