HMC1063 GaAs MMIC I/Q混频器，24 - 28 GHz
HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
- 传感器
产品特点和性能优势- 低LO功率： 10 dBm
- 宽IF带宽： DC - 3 GHz
- 镜像抑制： 21 dBc
- LO/RF隔离： 40 dB
- 高输入IP3： 17 dBm
- 16引脚3x3 mm SMT封装： 9 mm²
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数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| HMC1063LP3E 量产 | 16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep) | OTH 50 | -40 至 85至 | 11.31 | 9.16 | Y |
| HMC1063LP3ETR 量产 | 16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep) | REEL 500 | -40 至 85至 | 11.31 | 9.16 | Y |
评估板
| 产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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| EVAL01-HMC1063LP3 | Evaluation Board - HMC1063LP3E Evaluation Board | 248.6 | Y |
参考资料
