HMC1065 GaAs MMIC I/Q下变频器，27 - 34 GHz
HMC1065LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC镜像抑制低噪声变频器，采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该器件提供13 dB的小信号转换增益，17 dBc的镜像抑制和-2 dBm输入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍频器驱动的I/Q混频器工作。 它具有IF1和IF2混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 I/Q混频器拓扑结构可以减少无用边带滤波。 HMC1065LP4E为混合型镜像抑制下变频器组件的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
产品特点和性能优势- 转换增益： 13 dB
- 镜像抑制： 17 dBc
- 输入IP3： -2 dBm
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数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| HMC1065LP4E 量产 | HCP-16 ld QFN (3x3mm w/1.725mm ep) | OTH 50 | -40 至 85至 | 35.89 | 29.07 | Y |
| HMC1065LP4ETR 量产 | HCP-16 ld QFN (3x3mm w/1.725mm ep) | REEL 500 | -40 至 85至 | 35.89 | 29.07 | Y |
评估板
| 产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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| EVAL01-HMC1065LP4 | Evaluation Board - HMC1065LP4E Evaluation Board | 248.6 | Y |
参考资料
