HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,33 - 42 GHz

HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.07mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。

应用
  • 33至42 GHz微波无线电
  • 针对点对点无线电应用的上下变频器
  • 卫星通信系统
产品特点和性能优势
  • 集成LO放大器: +2 dBm输入
  • 次谐波(x2) LO
  • 高2 LO/RF隔离: >37 dB
  • 裸片尺寸: 1.32 x 0.81 0.1 mm
射频和微波
S参数
数据手册
文档备注
HMC339 Data SheetPDF 664.66 K
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC339 量产CHIPS OR DIEOTH 50-55 至 85至23.6919.19Y
HMC339-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
参考资料
HMC339 Data Sheet hmc339
HMC339 S-Parameter hmc339
Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e