HMC576-Die x2有源倍频器芯片,18 - 29 GHz Fout

THMC576是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时,该倍频器在18至29 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下,Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用,与传统方法相比,可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz,有助于保持良好的系统噪声性能。

应用

产品特点和性能优势
  • 高输出功率: +17 dBm
  • 低输入功耗驱动: -2至+6 dBm
  • Fo隔离: >20 dBc(Fout = 24 GHz时)
  • 100 kHz SSB相位噪声: -132 dBc/Hz
  • 单电源: +5V (82 mA)
  • 裸片尺寸: 1.18 x 1.23 x 0.1 mm m
射频和微波
数据手册
文档备注
HMC576 Die Data SheetPDF 577.89 K
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC576 量产CHIPS OR DIEOTH 50-40 至 85至34.4927.94Y
HMC576-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-40 至 85至00Y
参考资料
HMC576 Die Data Sheet hmc576-die
Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269) hmc383lc4