HMC8119 81 GHz至86 GHz，E频段I/Q上变频器
HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者，输入可通过使用针对单边带应用的外部90混合型器件和两个外部180型器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
应用
产品特点和性能优势转换损耗： 10 dB（典型值）边带抑制： 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率：22 dBc 16 dBm（典型值）输入三阶交调截点(IP3)： 24 dBm（典型值）输入二阶交调截点(IP2)： -5 dBm（典型值）RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -23 dBm（典型值）RF回损： 12 dB（典型值）LO回损： 20 dB（典型值）裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm | |
数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| HMC8119 量产 | CHIPS OR DIE | OTH 25 | -55 至 85至 | 67.17 | 54.67 | Y |
| HMC8119-SX 量产 | CHIPS OR DIE | OTH 2 | -55 至 85至 | 0 | 0 | Y |
