HMC815B GaAs MMIC I/Q上变频器，21 - 27 GHz
点对点和点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信
传感器
HMC815B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益和-20 dBc的边带抑制性能。 HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源x2倍频器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC815B为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
产品特点和性能优势- 高转换增益： 12 dB
- 边带抑制： -20 dBc
- 2 LO至RF隔离： 10 dB
- 输出IP3： +27 dBm
- 32引脚5x5mm SMT陶瓷封装： 25mm²
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数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| HMC815BLC5 预发布 | 32 ld LCC (5x5mm w/3.5mm EP) | OTH 50 | -40 至 85至 | 0 | 0 | Y |
| HMC815BLC5TR 预发布 | 32 ld LCC (5x5mm w/3.5mm EP) | REEL 100 | -40 至 85至 | 0 | 0 | Y |
| HMC815BLC5TR-R5 预发布 | 32 ld LCC (5x5mm w/3.5mm EP) | REEL 500 | -55 至 85至 | 0 | 0 | Y |
评估板
| 产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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| EV1HMC815BLC5 | Evaluation Board | -1 | Y |
