HMC819 GaAs MMIC I/Q上变频器,采用SMT封装,17.7 - 23.6 GHz

点对点和点对多点无线电 军用雷达、EW和ELINT 卫星通信 传感器

HMC819LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB小信号转换增益,边带抑制为-35 dBc。 HMC819LC5采用一个驱动器放大器,并在其前面放置一个I/Q混频器,LO由x2有源倍频器驱动。 它提供IF1和IF2混频器输入,通过外部90°混合型器件选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。

HMC819LC5为混合型单边带上变频器组件的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

应用

产品特点和性能优势
  • 高转换增益: 15 dB
  • 出色的边带抑制: -35 dBc
  • 2 LO至RF隔离: 12 dB
  • 高输出IP3: +35 dBm
  • 32引脚5x5mm SMT封装: 25mm²
射频和微波
数据手册
文档备注
HMC819 Data SheetPDF 1.28 M
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC819LC5 最后一次采购LCC:CER LEADLESS CHIP CARROTH 50-40 至 85至39.8532.6Y
HMC819LC5TR 最后一次采购LCC:CER LEADLESS CHIP CARRREEL 100-40 至 85至39.8532.6Y
HMC819LC5TR-R5 最后一次采购LCC:CER LEADLESS CHIP CARRREEL 500-40 至 85至39.8532.6Y
参考资料
HMC819 Data Sheet hmc819
Package/Assembly Qualification Test Report: LC5, LC5A (QTR: 2014-00384 REV: 01) hmc460lc5
Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269) hmc383lc4
5 x 5 mm QFN Tape Specification (LP5, LC5, LH5) hmc513