特点- 低直流偏置电源时呈现很高的线性度
- 高增益和良好的增益平坦度
- 符合 RoHS 标准
- 良好的噪声系数
- 无卤素
- 先进的增强模式 E-pHEMT 技术
- 标准 QFN 3X3 封装
- MSL-1、无铅设计
Applications相关产品 | | Specification | Value |
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| Lifecycle | Active | | RoHS6 Compliant | Y | | Distrib. Inventory | Yes | | Samples Available | Yes | | Max Qty of Samples | 5 | | RF Freq (GHz) | | | IF Freq (GHz) | | | Conversion Gain (dB) | | | LO/RF Isol. (dB) | | | IIP3 (dBm) | | | Frequency (GHz) | 1.5-4.0 | | Bias Condition (V@mA) | 5V@59mA | | NF (dB) | 1.6 | | Gain (dB) | 19.5 | | P1dB (dBm) | 20.5 | | OIP3 (dBm) | 40.5 | | Package | QFN 3x3 | | IP1dB (dBm) | |
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