FQP12N60C: N 沟道 QFET® MOSFET

不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

FQP12N60C 数据手册
特性
  • 12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 6 A
  • 低栅极电荷(典型值 48 nC)
  • 低 Crss(典型值 21 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
FQP12N60C不推荐新设计使用截至2013年12月13日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHSFDP12N60NZ
TO-220 3L  -  4.83 x 10.16 x 8.89mm,  管装第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FQP

第三行12N60C

FQP12N60C0.70.655150
应用指南
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