LT1158 - 半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

LT®1158 上的单个输入引脚以一种图腾柱配置来同步地控制两个 N 沟道功率 MOSFET。由于内置了针对贯通电流的独特自适应保护电路,因而免除了对两个 MOSFET 的所有匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。 LT1158 中的一个连续电流限制环路负责调节上端功率 MOSFET 中的短路电流。允许采用较高的启动电流,只要 MOSFET VDS 不超过 1.2V 即可。通过使 FAULT 故障输出返回至使能输入,LT1158 将在发生故障时自动关断,并在一个内部上拉电流完成对使能电容器的再充电时执行重试操作。 一个片内充电泵在需要的时候接入,以连续接通上端 N 沟道 MOSFET。该器件内置的特殊电路可确保上端栅极驱动器在 PWM 和 DC 操作之间的切换过程中得到安全的保护。当工作于较高的电源电压条件下时,在内部将栅极至源极电压限制为 14.5V。

特点
  • 可将上端 MOSFET 的栅极驱动至高于 V+
  • 工作电源电压范围从 5V 至 30V
  • 150ns 转换时间 (驱动 3000pF 容性负载)
  • 峰值驱动器电流超过 500mA
  • 自适应非重叠栅极驱动
  • 连续电流限制保护功能
  • 自动停机和重试能力
  • 内部充电泵用于 DC 操作
  • 内置栅极电压保护电路
  • 与电流检测 MOSFET 兼容
  • TTL/CMOS 输入电平
  • 故障输出指示
典型应用
LT1158 Typical Application
LT1158 Typical Application
应用
  • 高电流电感性负载的 PWM
  • 半桥式和全桥式电动机控制
  • 同步降压型开关稳压器
  • 三相无刷电动机驱动器
  • 高电流换能器驱动器
  • 电池式逻辑电平 MOSFET
封装信息
LT1158 Package Drawing
LT1158 Package Drawing
Order Information 订购型号
器件型号封装温度价格 (以 1 ~ 99 片为批量)价格 (以 1000 片为批量) *
LT1158CN#PBFN-16C$3.92$3.30
LT1158CSW#PBFSW-16C$4.17$3.50
LT1158CSW#TRPBFSW-16C$3.56
LT1158IN#PBFN-16I$4.50$3.75
LT1158ISW#PBFSW-16I$4.83$4.10
LT1158ISW#TRPBFSW-16I$4.16
数据表
应用指南
设计要点
可靠性数据
CAD 符号
LTspice
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