DS1265AB:8M非易失SRAM

DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1265Y)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
DS1265AB、DS1265Y:引脚分配
DS1265AB、DS1265Y:引脚分配
数据手册DataSheet
语言下载文件备注
英文DS1265AB-DS1265Y.pdfRev 3; 11/2010
关键参数
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1265ABNV SRAM1M x 8Parallel4.755.25EDIP/36$77.89 @1k
DS1265Y4.55.5EDIP/36
技术资料
订购型号
型号状况推荐替代产品封装温度RoHS/无铅
DS1265AB-1005%容差、100ns停止供货DS1265AB-70+EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1265AB-100+生产中EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°CRoHS/无铅:无铅
DS1265AB-705%容差、70ns停止供货DS1265AB-70+EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1265AB-70+生产中EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°CRoHS/无铅:无铅
DS1265AB-70IND5%容差、70ns停止供货DS1265AB-70IND+EDIP,;36引脚;861.6mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1265AB-70IND+生产中EDIP,;36引脚;861.6mm²-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
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