DS1323：3.3V、设计灵活的非易失控制器，带有锂电池监测

简化四组非易失SRAM设计

DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器，采用CMOS电路设计，用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。对输入电源进行监测，判断电源电压是否超出容限范围。一旦监测到电源超出容限，将禁止芯片使能输出，完成写保护操作，并连通电池继续为SRAM供电。利用低漏电CMOS工艺，以极低的电池损率支持精确的电压监测。单片DS1323能够支持多达四个SRAM，可以采用三种存储器配置的任何一种。除了支持电池备份外，DS1323还具备一个重要功能，可监测锂电池的剩余电量，在电池接近耗尽时发出报警信号。由于备份锂电池的开路电压在整个使用期限内保持相对稳定，需要精确测量带载情况下的电池电压。DS1323周期性地对比为内阻供电时的电池电压和适当的基准电压，实现电池监测。如果电池电压跌落到基准电压以下，电池将很快耗尽。此时，器件将触发电池报警引脚，发出需要更换电池的报警信号。

关键特性

将CMOS SRAM转换成非易失存储器
一旦VCC超出容限范围，将无条件进入SRAM写保护
VCC电源失效时，自动切换到后备电池
灵活的存储器结构
- 模式0：4组，每组1个SRAM
- 模式1：2组，每组2个SRAM
- 模式2：1组，每组4个SRAM
监测锂电池电压，在电池将要失效时发出预警信号
低电池电压条件下，触发低电平有效报警信号
电源失效时，可复位处理器并在系统上电过程中保持处理器的复位状态
10%电源失效检测
工作在工业级温度范围：-40°C至+85°C

DS1323: Functional Block Diagram

数据手册DataSheet

语言	下载文件	备注
英文	DS1323.pdf	Rev 1; 05/2012
中文	DS1323_cn.pdf	Rev 1; 05/2012

关键参数

Part Number	CE Cntrl.	Smart Socket w/Int. Batt.	Li Batt. Monitor	Pwr. Fail Out	RAMs Controlled	V_SUPPLY (V)	Package/Pins	Oper. Temp. (°C)
Part Number	CE Cntrl.	Smart Socket w/Int. Batt.	Li Batt. Monitor	Pwr. Fail Out	RAMs Controlled	V_SUPPLY (V)	Package/Pins	Oper. Temp. (°C)
DS1323	Yes	No	Yes	Yes	1	3.3	TSSOP/20	-40 to +85

技术资料

订购型号

型号	状况	推荐替代产品	封装	温度	RoHS/无铅
DS1323E+	停止供货		TSSOP,；20引脚；45.2mm²	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅
DS1323E+T&R	生产中		TSSOP,；20引脚；45.2mm²	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅