DS28E80:耐γ辐射1-Wire存储器

低成本鉴定或校准方案,适用于单触点操作的医用传感器及其附件

DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器,分成8字节大小的存储块,每个存储块可具有写保护,每个存储块可写8次。DS28E80通过单触点1-Wire®总线进行标准速率或高速率通信。每片器件都拥有唯一的64位识别码,由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议,在多器件的1-Wire网络中,64位识别码作为节点地址。 我们的“安全给药”视频介绍如何利用Maxim安全产品保证远程给药安全。

关键特性
  • 高耐γ辐射能力,允许用户在医疗灭菌之前进行编程制造或校准数据
    • 承受高达75kGy (千戈瑞) γ辐射
    • 可重编程248字节用户存储器
  • 较小的存储块大小,用户存储器编程较灵活
    • 存储器分为8字节存储块
    • 每个存储块可写8次
    • 每个存储块均提供用户可编程写保护
  • 高级1-Wire协议,将接口减小为单触点
  • 紧凑的封装和单IO接口,减小电路板空间,增强可靠性
    • 唯一的工厂编程64位识别码
    • 1-Wire标准速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
    • 工作范围:3.3V ±10%,-40°C至+ 85°C,读操作;0°C至+50°C,写操作
    • IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
    • 6引脚TDFN封装
DS28E80: Typical Operating Circuit
DS28E80: Typical Operating Circuit
应用
  • 鉴定和校准医疗工具/附件
  • 医用消费品鉴定
数据手册DataSheet
语言下载文件备注
英文DS28E80.pdfRev 0; 10/2014
关键参数
Part NumberApplicationsMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS28E80
  • Gamma Sterilization
  • Medical Consumable ID
EEPROM2K x 11-Wire2.973.63TDFN/6$0.83 @1k
开发工具
技术资料
质量和环境数据
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订购型号
型号状况推荐替代产品封装温度RoHS/无铅
DS28E80Q+T生产中TDFN,;6引脚;TDFN H;-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS28E80Q+U生产中TDFN,;6引脚;TDFN H;-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS28E80.pdf DS28E80
DS28E80.pdf DS28E80
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New Memories Breaking the Gamma Barrier for Medical Consumables DS28E80
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