NE57810TK: 高级DDR存储器端接电源，采用外部基准电压
NE57810TK可为双倍数据速率(DDR) SDRAM存储器总线端接提供电源。相比之前的解决方案，它极大地减少了器件数、电路板空间以及总系统成本。
NE57810TK DDR端接稳压器可将输出电压（DDR参考总线电压）保持在RAM电源电压的一半。它在该周期内可持续提供高达± 3.5 A的电流。NE57810TK具有过流限制功能，启动时不受浪涌电流影响。过温关断保护功能可为器件提供极端温度保护。
该器件的封装具有热稳定性，为散热设计提供了灵活性。NE57810TK是一款线性稳压器，因此无需外部电感或开关FET。该器件针对负载变化具有快速响应特性，可降低输出电容的要求。
sot1325-1_3d
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Advanced DDR memory termination power with external reference voltage in (REV 5.0) PDF (280.0 kB) NE57810TK [English] | 09 Jan 2013 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| plastic thermal enhanced very thin small outline package; no leads; 10 terminals (REV 1.0) PDF (173.0 kB) SOT1325-1 [English] | 08 Feb 2016 |
订购信息
| 型号 | 状态 | Package version | Remarks | Operating voltage (VDC) | Power dissipation (W) | Operating Temperature (Cel) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NE57810TK/1 | Active | SOT1325-1 |
封装环保信息
| 产品编号 | 封装说明 | Outline Version | 回流/波峰焊接 | 包装 | 产品状态 | 部件编号订购码 (12NC) | Marking | 化学成分 | RoHS / 无铅 / RHF | 无铅转换日期 | MSL LF |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE57810TK/1 | | SOT1325-1 | Reel 13" Q1/T1 in Drypack | Active | NE57810TK/1Y (9352 993 54518) | Standard Marking | NE57810TK/1 |    | Always Pb-free | 3 |
- plastic thermal enhanced very thin small outline package; no leads; 10 terminals NE57810TK
- NE57810TK
