MRFE6VP8600H: 470-860 MHz,600 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

特性
  • 在50 Vdc, 860 MHz,DVB-T (8k OFDM) 240 W平均值时,能承受大于65:1 VSWR,所有相角。输出功率(3 dB过驱额定输出功率)
  • 卓越的效率,适用于AB类模拟或数字电视应用
  • 在完整的UHF电视频谱,470-860 MHz上具有全面的性能
  • 支持600 W连续波输出功率,带有适当的散热管理功能
  • 集成的输入匹配
  • -6.0 V到+10 V的扩展负栅压范围
    • 改进C类性能,如在Doherty峰值阶段
    • 可快速、轻松且完全地关闭放大器
  • 改进C类性能,如在Doherty峰值阶段
  • 可快速、轻松且完全地关闭放大器
  • 20-50 V的扩展工作电压范围,用于与漏极调制一同使用
  • 卓越的热稳定特性
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R6后缀 = 150个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。
NI-1230H-4S, NI-1230S-4S Product Images
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRFE6VP8600HR6, MRFE6VP8600HR5, MRFE6VP8600HSR6, MRFE6VP8600HSR5 470-860 MHz, 600 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF... (REV 1) PDF (1.3 MB) MRFE6VP8600H [English]09 Sep 2011
应用说明 (2)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages (REV 1) PDF (664.6 kB) AN1908 [English]24 Feb 2011
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
手册 (1)
名称/描述Modified Date
Broadcast Solutions (REV 5) PDF (818.6 kB) BR1607 [English]08 Sep 2011
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
白皮书 (1)
名称/描述Modified Date
50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications (REV 4) PDF (914.5 kB) 50VRFLDMOSWP [English]08 Sep 2011
封装信息 (2)
名称/描述Modified Date
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV G) PDF (47.5 kB) 98ASB16977C [English]05 Apr 2016
98ARB18247C, NI-C, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV H) PDF (44.6 kB) 98ARB18247C [English]23 Feb 2016
支持信息 (1)
名称/描述Modified Date
MRFE6VP8600H/HS: Maximizes Broadcast Transmitter Performance (REV 0) PDF (918.3 kB) MRFE6VP8600H_TRN_SI [English]08 Sep 2011
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MRFE6VP8600HSR5Active4708605057.8600125 @ AVGOFDM19.3 @ 860300.19InputABLDMOS
MRFE6VP8600HR5Active4708605057.8600125 @ AVGOFDM19.3 @ 860300.19InputABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-123098ASB16977CMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP8600HR5MRFE6VP8600HR5.pdf260
NI-1230S98ARB18247CMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP8600HSR5MRFE6VP8600HSR5.pdf260
MRFE6VP8600HR6, MRFE6VP8600HR5, MRFE6VP8600HSR6, MRFE6VP8600HSR5 470-860 MHz, 600 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF... mrfe6vp8600h
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages MMRF1317H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
Broadcast Solutions mrfe6vp8600h
RF Products Selector Guide MMT20303H
50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications mrfe6vp8600h
MRFE6VP8600H/HS: Maximizes Broadcast Transmitter Performance mrfe6vp8600h
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
MRFE6VP8600HR5.pdf MRFE6VP8600H
98ARB18247C, NI-C, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
MRFE6VP8600HSR5.pdf MRFE6VP8600H