数据手册DataSheet 下载：FDFME2P823ZT -20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode.pdf
该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有一个低通态电阻的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，可最大限度地降低传导损耗。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。 欲了解更多信息，请访问 模型页面.
| 订购型号 | 产品状态 | 定价 | 封装&包装信息 | 封装丝印 | 资格支持 |
| FDFME2P823ZT | 量产 从2009年7月起符合绿色标准 | $0.247 | UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) - 细节 0.55 x 1.6 x 1.6mm umlp 1.6x1.6 6l (microfet) 示意图 micromlp 1.6x1.6, packing drawing | 第一行:&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:3T | RƟJA : 90 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260 |
