FQP8N60C N 沟道 QFET® MOSFET _ BDTIC a Leading Distributor in China

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这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合于高效率的开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。欲了解更多信息，请访问模型页面.

产品特点

7.5 A，600 V，RDS(on) = 1.2 Ω（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 3.75 A
低栅极电荷（典型值 28 nC）
低 Crss（典型值 12 pF)
100% 经过雪崩击穿测试

订购型号

订购型号	产品状态	定价	封装&包装信息	封装丝印	资格支持
FQP8N60C	不推荐用于新设计符合 RoHS 标准	N/A	TO-220 3L - 细节 4.83 x 10.16 x 8.89mm to-220 3l 示意图 to220-3l, jedec variation, packing drawing	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQP 第三行:8N60C	RƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 0.85 °C/W