数据手册DataSheet 下载FQPF9N50C N 沟道 QFET® MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ.pdf

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

产品特点
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FQPF9N50CT从2011年12月13日起停产 符合 RoHS 标准 替代部件编号: FDPF8N50NZN/ATO-220F 3L - 细节 4.7 x 10.06 x 15.87mm
to-220f 3l 示意图
to220-3l, full pack, straight lead, packing drawing
to220f-3l, packing drawing
to220-3l full packing tube packing drawing
to220f_packing drawing
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQPF 第三行:9N50CTRƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 2.86 °C/W
技术资料
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A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014
FAN9611 / FAN9612 400W 1-Layer Evaluation Board User Guide (FEB301) Last Update : 28-Jun-2014
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