数据手册DataSheet 下载：HUF76407DK_F085 3.5A，60V，0.105 Ohm，双 N 沟道，逻辑电平 UltraFET® 电源 MOSFET.pdf

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产品特点

• 超低通态电阻- rDS(ON) = 0.090Ω，VGS = 10V- rDS(ON) = 0.105Ω，VGS = 5V
• 仿真模型- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型- SPICE和SABER热阻抗模型- www.fairchildsemi.com
• 峰值电流与脉宽曲线
• UIS额定值曲线
• 瞬态热阻抗曲线与板安装面积
• 开关时间与RGS曲线
• 符合AEC Q101
• 符合RoHS标准

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应用领域

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术资料

• Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
• AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系(909 K) 2013年8月27日
• AN-9065 同步整流中的 FRFET®(356 K) 2013年9月09日
• A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
• 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
• A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
• MOSFET 基础(1,099 K) 2013年9月19日
• AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南(466 K) 2013年8月27日
• Guidelines for Pb-Free Soldering of Fairchild Components Based on JEDEC® J-STD 20D / IEC EN 61760-1:2006(513 K) 2013年10月08日