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CBTW28DD14ET：适合DDR2/DDR3/DDR4应用的14位总线开关/多路复用器

14位总线开关/多路复用器(MUX)专门针对1.5 V或1.8 V电源电压操作、POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令以及CMOS选择输入电平而设计。其专为在DDR2、DDR3和DDR4存储器总线系统中的操作而设计。

CBTW28DD14具有一个1 : 2开关或2 : 1多路复用拓扑，并提供一个14位宽的总线。每个14位宽的A端口可以同时针对所有位切换到B和C这两个端口的其中之一。端口选择通过简单的CMOS输入(SELect)进行。另一个CMOS输入(ENable)可使所有端口都断开。由于使用FET开关，每个端口都无方向性，从而可实现需要高带宽开关或多路复用的多种应用。

SEL和EN输入信号设计为在1.5 V和1.8 V这两个电源电压条件下透明地作为CMOS输入电平信号进行操作。

CBTW28DD14采用恩智浦专有的高速开关架构，提供高带宽、低频率下极低的插入损耗以及极低的传播迟延，允许用于需要切换或多路复用高速信号的众多应用。为实现相对于电路板布局密度的最佳尺寸，其采用具有0.5 mm引脚间距的4.5 mm x 4.5 mm TFBGA48封装。其特点是工作温度范围为-10 °C至+85 °C。

特性和优势 14位总线宽度 1 : 2开关/MUX拓扑 双向操作 单CMOS选择针脚(SEL) 单CMOS使能针脚(EN) 2.5 GHz带宽 低导通插入损失 低串扰 高关断隔离 POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令 低RON（典型值：10Ω） 1.5 V或1.8 V电源电压操作 极低电源电流（典型值：300 μA） ESD抗击打能力超过3 kV HBM、1 kV CDM 采用TFBGA48封装，4.5 mm × 4.5 mm × 0.8 mm大小，0.5 mm间距，无铅/深绿 应用 DDR2/DDR3/DDR4存储器总线系统 需要高速多路复用的系统

产品图片

关键参数

封装与包装

型号	封装	Outline version	Reflow-/Wave soldering	包装	产品状态	标示	可订购的器件编号, (订购码 (12NC))
CBTW28DD14ET	TFBGA48 (SOT1155-1)	sot1155-1_po		Reel 13" Q1/T1	量产	W2814	CBTW28DD14ET,118( 9352 909 15118 )

无铅环保信息

型号	可订购的器件编号	RoHS / RHF	无铅转换日期	EFR	IFR (FIT)	MTBF（小时）	潮湿敏感度等级	MSL LF
CBTW28DD14ET	CBTW28DD14ET,118		Always Pb-free	0.0	4.0	2.5E8	NA	1

文档资料

订购信息